| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种具有优良的化学强度、物理强度和耐环境性的半导体器件。其要点如下：覆盖着具有集成电路的叠层体的一方表面粘合具有第一基材和第一粘合剂层的第一叠层膜，覆盖着所述叠层体的另一表面粘合具有第二基材和第二粘合剂层的第二叠层膜，由此密封所述叠层体之后，切断所述第一叠层膜和所述第二叠层膜。此外，用激光束照射因所述切断而暴露出来的第一叠层膜和第二叠层膜的切断表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1905146A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610107656.9 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 渡边了介;山田大干 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01);G06K19/077(2006.01);B29C65/48(2006.01) | 主分类号 | H01L21/56(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：粘合具有第一基材及第一粘合剂层的第一叠层膜，从而覆盖具有集成电路的叠层体的一方表面；通过粘合具有第二基材及第二粘合剂层的第二叠层膜来密封所述叠层体，从而覆盖所述叠层体的另一表面；切断所述第一叠层膜及所述第二叠层膜，从而使所述第一叠层膜及所述第二叠层膜的侧面暴露；以及用激光束照射所述第一叠层膜及所述第二叠层膜的所述侧面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||