发明名称 DEFECT MONITORING PATTERN IN METAL LAYER PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>반도체 소자의 금속 배선 공정에서 금속 배선의 단락 및 브리지 결함을 모니터링하기 위한 패턴의 면적을 최소화하며, 배선의 단선 및 브리지 결함을 동시에 모니터링하며, 금속 배선의 단락 및 브리지 결함을 수직, 수평 구조 및 다양한 사선 구조에서 모니터링할 수 있도록 하기 위한 것으로, 하나의 라인 패턴으로 형성된 제 1배선 라인과 다수의 극 라인 패턴으로 형성된 제 2배선 라인을 다각형 나선 구조로 교대로 형성하며, 제 1배선 라인과 제 2배선 라인의 중앙부에 제 1, 제 2배선 라인의 일측단을 접속하는 공통 전극과 외부에 제 1, 제 2배선 라인의 타측단을 각각 접속하는 제 1, 제 2모니터링 전극을 형성하여 배선의 단락 및 브리지 결함을 3극 전극에 의해 동시에 측정할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR100342389(B1) 申请公布日期 2002.07.04
申请号 KR19990061049 申请日期 1999.12.23
申请人 null, null 发明人 이병철
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
地址