| 主权项 |
1.一种制造层排列的方法, 其中于一基板的一第一侧形成具有一厚度的一 第一层,此厚度大于一第二层磊晶生长的最小厚度 ; 其中该第二层系磊晶生长于该第一层上; 其中于该第二层上形成一第三层; 其中一处理晶圆与该第三层结合; 其中,从与该第一侧的相反侧的一第二侧移除该 基板;及 其中该第一层系自该第二侧部分地薄化,使得在 该薄化操作之后,该第一层的厚度小于磊晶生长的 最小厚度。 2.根据申请专利范围第1项的方法,其中该第一层及 该第二层系由结晶矽所形成。 3.根据申请专利范围第1或2项的方法,其中该经薄 化第一层的厚度小于50奈米。 4.根据申请专利范围第3项的方法,其中该经薄化第 一层的厚度小于20奈米。 5.根据申请专利范围第4项的方法,其中该经薄化第 一层的厚度为介于2奈米及20奈米之间。 6.一种制造双闸极电晶体的方法, 其中于基板的第一侧形成具有一厚度的一第一 层,此厚度大于一第二层磊晶生长的最小厚度; 其中该第二层系磊晶生长于该第一层上; 其中于该第二层的子区域上形成一第一闸极区 域; 其中于该第二层的未覆盖区域上及该第一闸极 区域上形成一第三层; 其中一处理晶圆与该第三层结合; 其中,从与该第一侧的相反侧的一第二侧移除该 基板; 其中该第一层系自该第二侧部分地薄化,使得在 该薄化操作之后,该第一层的厚度小于磊晶生长的 最小厚度。 7.根据申请专利范围第6项的方法,其中该第一层及 该第二层系由结晶矽所形成。 8.根据申请专利范围第6或7项的方法,其中该经薄 化第一层的厚度小于50奈米。 9.根据申请专利范围第8项的方法,其中该经薄化第 一层的厚度小于20奈米。 10.根据申请专利范围第9项的方法,其中该经薄化 第一层的厚度为介于2奈米及20奈米之间。 11.根据申请专利范围第6或7项的方法,其中,在该经 薄化第一层上从该第二侧且邻接该第二闸极区域 磊晶生长一第四层。 12.根据申请专利范围第6或7项的方法,其中一昇起 式源极区域及一昇起式汲极区域系邻接该第一闸 极区域及/或邻接该第二闸极区域形成。 图式简单说明: 第1图显示说明双闸极电晶体的图式配置之图式平 面视图; 第2图显示在根据示例具体实施例制造双闸极电晶 体方法的子步骤之后穿过层排列的图示截面视图; 第3图显示在制造该双闸极电晶体的额外子步骤( 其主要用于形成第一闸极区域)之后穿过该示例具 体实施例层排列的图示截面视图; 第4图显示在制造该双闸极电晶体的额外子步骤( 其主要用于进行磊晶形成矽层及形成保护层)之后 穿过该示例具体实施例层排列的图示截面视图; 第5图显示在制造该双闸极电晶体的额外子步骤( 其主要用于晶圆结合步骤)之后穿过该示例具体实 施例层排列的图示截面视图; 第6图显示在制造该双闸极电晶体的额外子步骤( 其主要用于薄化通道区域)之后穿过该示例具体实 施例层排列的图示截面视图; 第7图显示在制造该双闸极电晶体的额外子步骤( 其主要用于形成绝缘)之后穿过该示例具体实施例 层排列的图示截面视图; 第8图显示在制造该双闸极电晶体的额外子步骤( 其主要用于形成第二闸极区域)之后穿过该示例具 体实施例层排列的图示截面视图;及 第9图显示沿该闸极穿过该完工双闸极电晶体的图 示截面视图。 |
