发明名称 반도체장치및그제조방법
摘要 강유전체막의 제조방법 및 이 막을 사용한 소형이고 대용량인 콘덴서를 갖는 반도체장치에 관한 것으로서, 0.1㎛정도의 박막에 있어서도 강유전체와 전극간의 계면에 의한 영향이 없고 균일한 특성을 갖는 유전체 박막을 구비하고 또 계면에 존재하는 산화물의 용량으로의 영향을 없애기 위해서, 박막퇴적용 원료로서 강자성막 조성에 포함되는 1종류 이상의 금속원자를 함유하는 유기분자를 사용하고 또 콘덴서의 전극으로서 산화에 의해서도 도전성이 손실되지 않는 금속 또는 화합물을 채용하는 구성으로 하였다. 이것에 의해, 0. 1㎛정도의 박막에 있어서도 계면의 영향이 없는 균일한 특성을 갖는 유전체 박막을 형성할 수 있고 또 콘덴서의 전극과 강유전체간의 계면에 존재하는 유전율이 낮은 유전체막에 의한 실효적인 용량의 저하를 방자할 수 있으므로, 소형대용량의 콘덴서 및 반도체기억장치를 실현할 수 있다.
申请公布号 KR100322821(B1) 申请公布日期 2002.07.02
申请号 KR19920014652 申请日期 1992.08.14
申请人 null, null 发明人 미끼히로시;오지유즈루;다찌신이찌;가네호리게이이찌
分类号 H01L27/10;C23C16/40;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/108 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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