| 摘要 |
<p>본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 회로 설계상 필요한 지연 소자를 콘트롤 게이트나 접합 영역을 이용하여 구성하는 경우 소요되는 면적이 증가하여 공정 마진을 충분히 확보할 수 없는 문제점을 해결하기 위하여, 플래쉬 메모리 소자의 제조 공정시 지연 소자를 동시에 형성하며, 지연 소자와 외부 회로와의 콘택을 매립 콘택 구조로 하므로써, 회로 구성 면적을 줄일 수 있고 공정 마진을 확보할 수 있도록 한 플래쉬 메모리 소자의 제조방법이 개시된다.</p> |
