对准标记之制造方法

摘要

本发明系揭露一种对准标记(Alignment Mark)之制造方法，其系在例如铝铜合金之上层金属层(Top Metal Layer)上先形成内金属介电(Inter-Metal Dielectric；IMD)层，再形成一层例如氮化钛(Titanium Nitride；TiN)等低反射性之材料后，然后在此低反射性材料层上形成金属层，并利用此金属层制造对准标记，因此对准标记与底下之低反射性材料层之间的明暗对比明显，而利于后续之雷射修补对准。此外，此低反射性材料层亦可当作金属层之蚀刻终止层(Etching Stop Layer)。

主权项

1.一种对准标记(Alignment Mark)之制造方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上已形成有复数个半导体材料层;形成一第一金属层覆盖该基材;形成一介电层覆盖该第一金属层;形成一低反射性材料层覆盖该介电层;定义该低反射性材料层,并约暴露出该介电层之一部分;形成一第二金属层覆盖该低反射性材料层与所约暴露出之该介电层之该部分;以及定义该第二金属层,以形成一对准标记,并约暴露出该低反射性材料层之一部分与该介电层之该部分。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金层层之材料为铝。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金属层之材料为铜。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金属层之材料铝铜合金。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一金属层之步骤系利用一溅镀(Sputtering)法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层之材料为二氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该介电层之步骤系利用一电浆增益化学气相沉积(PECVD)法。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层为一内金属介电层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该低反射性材料层之材料为氮化钛(TiN)。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该低反射性材料层之步骤系利用一化学气相沉积法。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该低反射性材料层之步骤系利用一反应性溅镀法。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属层之材料为铝。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属层之材料为铜。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金层层之材料为铝铜合金。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第二金属层之步骤系利用一溅镀法。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中定义该第二金属层之步骤系利用一微影制程与一蚀刻制程。17.一种对准标记之制造方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上已形成有复数个半导体材料层;形成一低反射性材料层覆盖该基材;定义该低反射性材料层,并约暴露出该基材之一部分;形成一金属层覆盖该低反射性材料层与所约暴露出之该基材之该部分;以及定义该金属层,以形成复数个对准标记,并约暴露出该低反射性材料层之一部分与该基材之该部分。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该低反射性材料层之材料为氮化钛。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中形成该低反射性材料层之步骤系利用一化学气相沉积法。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中形成该低反射性材料层之步骤系利用一反应性溅镀法。21.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该金属层之材料为铝。22.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该金属层之材料为铜。23.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该金属层之材料为铝铜合金。24.如申请专利范围第17项所述之方法,其中形成该金属层之步骤系利用一溅镀法。25.如申请专利范围第17项所述之方法,其中定义该金属层之步骤系利用一微影制程与一蚀刻制程。图式简单说明:第1图为绘示习知晶片上之对准标记的上视示意图;第2图为绘示基材、金属层、介电层、以及对准标记之结构的剖面示意图;第3图为绘示本发明之一较佳实施例之基材、第一金属层、介电层、以及低反射性材料层之结构的剖面示意图;第4图为绘示本发明之一较佳实施例之基材、第一金属层、介电层、低反射性材料层、以及第二金属层之结构的剖面示意图;第5图为绘示本发明之一较佳实施例之基材、第一金属层、介电层、低反射性材料层、以及对准标记之结构的剖面示意图;以及第6图为绘示第5图之结构的上视图。