| 主权项 |
1.一种增进碳掺杂氧化矽层与薄膜层间之附着性的方法,该方法至少包含:沉积一碳掺杂氧化矽层在一化学气相沉积反应室内之一底材上;在该化学气相沉积反应室内以电浆处理该碳掺杂氧化矽层之表面;及沉积一薄膜于该碳掺杂氧化矽层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电浆之气体源至少包含由氦气、氧气一氧化二氮与其任意组合所组成之族群。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该气体源的质流速率为500至2000sccm之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该化学气相沉积反应室的压力介于3至8torr。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该化学气相沉积反应室的温度介于摄氏0度至400度之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中产生该电浆所使用之电源功率介于200至1500W之间。7.一种增进碳掺杂氧化矽层与薄膜层间之附着性的方法,该方法至少包含:沉积一碳掺杂氧化矽层在一第一化学气相沉积反应室内之一底材之上;在一第二化学气相沉积反应室内,以电浆处理该碳掺杂氧化矽层之表面;及在该第二化学气相沉积反应室内,沉积一薄膜于该碳掺杂氧化矽层之上。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该电浆气体源,至少包含由氦气、氧气一氧化二氮与其任意组合所组成之族群。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该气体之质流速率为介于500至2000sccm之间。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二化学气相沉积反应室之压力介于3至8torr。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二化学气相沉积反应室之温度介于摄氏0度至400度之间。12.如申请专利范围第7项之方法,其中产生该电浆所使用之电源功率介于200至1500W之间。图式简单说明:第一图为符合本发明之一具体实施例步骤之流程图。 |
