| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆单元电容器之制造方法,包括:提供一半导体基底;形成深沟槽于该半导体基底内;形成环状绝缘层于该深沟槽的开口部分;于该深沟槽的侧壁及底部植入离子,形成种子层;形成半球形矽晶粒层于该种子层;于该半球形矽晶粒层植入离子,再以离子驱入形成电容器下电极板;形成介电层于该电容器下电极板之表面;以及形成电容器上电极板于该介电层之表面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成之该半导体基底系P型矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该环状绝缘层的形成至少包括以下之步骤:形成第一绝缘层于该深沟槽内部外露的半导体基底表面;形成第二绝缘层覆盖该垫层表面并延伸到该深沟槽内,均匀地覆盖该第一绝缘层表面;涂布一层光阻并填满该深沟槽;去除该垫层表面与该深沟槽内的部份光阻;去除该深沟槽内之光阻上的第二绝缘层与第一绝缘层;形成环状绝缘层于该深沟槽内之第二绝缘层与第一绝缘层上方之侧壁;以及去除该第二绝缘层与第一绝缘层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第一绝缘层是由氧化矽层所组成。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第一绝缘层的厚度介于20-200埃。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第二绝缘层是由氮化矽所组成。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第二绝缘层的厚度介于20-1500埃。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该环状绝缘层系由氧化矽层所组成。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该环状绝缘层的厚度介于200-500埃。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中环状绝缘层位于该深沟槽的开口处到深度约为1500-2500埃之间。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该种子层是由非晶矽所组成。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该种子层的形成还包括进行离手植入程序,将特定的离子以预定的角度植入该深沟槽的侧壁及底部的步骤。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该特定离子是钝气离子,例如是氩与氙等气体的离子。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该预定角度为0–30度角。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该种子层厚度介于100-200埃之间。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中第二次的离子植入制程是植入磷或砷离子,其剂量约为3–7E19/cm3。17.一种动态随机存取记忆单元电容器之制造方法,包括:提供一半导体基底;于该半导体基底表面形成垫层;于该垫层表面形成第一遮蔽层;定义该第一遮蔽层;以该第一遮蔽层做为遮蔽罩幕,依序去除前述之部分垫层及部分该半导体基底,形成深沟槽;以该垫层作为蚀刻停止层,去除该第一遮蔽层;形成第一绝缘层于该深沟槽内部外露的半导体基底表面;形成第二绝缘层,覆盖该垫层表面并延伸到该深沟槽内,以覆盖该第一绝缘层表面;涂布一层光阻并填满该深沟槽;去除该垫层表面与该深沟槽内的部份光阻;去除该深沟槽内之光阻上的第二绝缘层与第一绝缘层;形成环状绝缘层于该深沟槽内之第二绝缘层与第一绝缘层上方之侧壁;去除该等二绝缘层与第一绝缘层;于该深沟槽的侧壁及底部植入离子,形成种子层;形成半球形矽晶粒层于该种子层;于该半球形矽晶粒层植入离子,再以离子驱入形成电容器下电极板;形成介电层于该电容器下电极板之表面;以及形成电容器上电极板于该介电层之表面。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中形成之半导体基底系P型矽基底。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一绝缘层是由氧化矽层所组成。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一绝缘层的厚度介于20-200埃。21.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第二绝缘层是由氮化矽所组成。22.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第二绝缘层的厚度介于20-1500埃。23.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该环状绝缘层系由氧化矽层所组成。24.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该环状绝缘层的厚度介于200-500埃。25.如申请专利范围第17项所述之方法,其中环状绝缘层位于该深沟槽的开口处到深度约为1500-2500埃之间。26.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该种子层是由非晶矽所组成。27.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该种子层的形成还包括进行离子植入程序,将特定的离子以预定的角度植入该深沟槽的侧壁及底部的步骤。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该特定离子是钝气离子,例如是氩与氙等气体的离子。29.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该预定角度为0–30度角。30.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该种子层厚度介于100-200埃之间。31.如申请专利范围第17项所述之方法,其中第二次的离子植入制程是植入磷或砷离子,其剂量约为3–7E19/cm3。图式简单说明:第一A-一K图系显示习知制造半导体记忆单元电容器之方法。第二A-二H图系显示本发明半导体记忆单元电容器制造方法之实施例。 |
