发明名称 YB<SUB>2</SUB>单晶的用途
摘要 本发明涉及YB<SUB>2</SUB>单晶的用途,即作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料。其步骤为利用熔盐籽晶提拉法或区熔法生长YB<SUB>2</SUB>单晶,经定向、切割、抛光制成以(0001)面为主表面的衬底,并在其上利用MOCVD或MBE技术外延生长GaN单晶薄膜。YB<SUB>2</SUB>作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料,可降低外延生长GaN单晶薄膜的位错密度;晶体比较容易生长;且在外延温度下不会挥发污染外延真空室。
申请公布号 CN1355552A 申请公布日期 2002.06.26
申请号 CN00133608.8 申请日期 2000.11.28
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 宋有庭;吴星;倪代秦
分类号 H01L21/18;H01L21/20 主分类号 H01L21/18
代理机构 代理人
主权项 1.一种YB2单晶的用途,其特征在于用作外延生长GaN单晶薄膜的衬底材料。
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