| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法, 当使用将钌液体原料予以气化之钌原料气体,及含 有氧原子之气体,而在于反应室内于基板上形成钌 膜或氧化钌膜时, 在于反应室之上游侧之配管内混合上述钌原料气 体及含有氧原子之气体,为其特征者。2.如申请专 利范围第1项所述之半导体装置之制造方法,其中 在于配管内混合上述钌原料气体及含有氧原子之 气体之后,再在于设置于上述混合地点与反应室之 间之气体混合室内而再将两气体予以混合者。3. 一种半导体制造装置,主要乃具有: 于基板上形成钌膜或氧化钌膜之反应室,及 收容钌液体原料之容器,及 将钌液体原料予以气化之气化器,及 将气体之钌原料气体供给于上述反应室之钌原料 气体供给配管,及 将含有氧原子之气体供给于上述反应室之含有氧 原子气体供给配管,而成之半导体制造装置中,其 特征为, 将上述钌原料气体供给配管及上述含有氧原子气 体供给配管在于上述反应室之上游侧而予以连接, 而将上述钌原料气体及上述氧原子之气体在于供 给于上述反应室之供给前予以混合者。4.如申请 专利范围第3项所述之半导体制造装置,其中 在于上述钌原料气体供给配管与上述氧原子含有 气体供给配管之连接部与上述反应室之间,具备气 体混合室,藉由上述气体混合室而令对于上述反应 室之供给之前,将在于上述配管内所混合之钌原料 气体及含有氧原子之气体再予以混合者。图式简 单说明: 第1图系为说明本发明之半导体制造装置之一实施 形态之图。 第2图系为说明本发明之半导体制造装置之别的实 施形态之图。 第3图系说明实施形态3之BST膜制造用装置之图。 第4图系表示使用本发明之制造方法所形成之含有 钌膜或氧化钌膜之DRAM之一部份之断面图。 第5图系说明先前之半导体制造装置之一例之图。 第6图系说明在于气体混合室内之气体混合空间之 形状之图。 第7图系表示第3图所示之半导体制造装置之扩散 板之图。 第8图系第7图之A-A断面图。 |
