| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 반도체 메모리는, 어레이로 배열된 복수의 메모리 셀과, 이 복수의 메모리 셀의 각 컬럼에 배열되어 액세스될 메모리 셀에 대하여 데이터를 기록 및 판독하는 복수의 다이렉트형 감지 증폭기와, 액세스될 상기 메모리 셀을 포함하는 컬럼에 있는 감지 증폭기를 선택하는 복수의 컬럼 선택 라인과, 데이터를 기록하기 위해 메모리 셀이 액세스되는 경우 액세스될 메모리 셀을 포함하는 로우에 있는 감지 증폭기를 선택하는 복수의 기록 전용 컬럼 선택 라인과, 로컬 구동 회로를 포함한다. 상기 감지 증폭기는 각 로우마다 감지 증폭기 블록으로 그룹화되어 있다. 상기 기록 전용 컬럼 선택 라인은 데이터 기록시 액세스될 메모리 셀을 포함하는 로우에 있는 감지 증폭기 블록을 선택하는 제1 선택 라인과 그 선택된 감지 증폭기 블록에 포함되는 감지 증폭기를 선택하는 제2 선택 라인을 포함한다. 상기 로컬 구동 회로는 상기 제1 선택 라인으로부터의 선택 신호에 따라 상기 제2 선택 라인에 선택 신호를 인가한다. 상기 기록 전용 컬럼 선택 라인은 상기 감지 증폭기를 제어하는데 사용되는 신호에 의해 제어된다.</p> |
