| 摘要 |
트랜지스터들 및 트랜지스터 층들은 Si 기판들 상의 GaN MOS 구조체들용과 같은, 2DEG GaN 채널 상에 InAlN 및 AlGaN 이중 층 캡핑 스택을 포함한다. GaN 채널은 GaN과 Si 간의 높은 결정 구조 격자 크기 및 열 팽창 계수 부정합을 보상하기 위해, GaN 버퍼 층 또는 스택 내에 형성될 수 있다. 채널 내에 전하 분극을 유도하기 위한 하부 AlGaN 층 상의 상부 InAlN 층의 이중 층 캡핑 스택은 (예를 들어, Al)의 빈약한 조성물 불균일성을 보상하고, InAlN 재료의 하부 표면의 거친 표면 모폴로지를 보상한다. 이것은 250ohms/sqr와 350ohms/sqr 사이의 면 저항에 이르게 할 수 있다. 이것은 또한 InAlN 재료의 층의 성장 중에 Si 웨이퍼들 상의 GaN의 휨을 감소시킬 수 있고, 게이트 영역 내에 InAlN 층을 에칭하기 위한 AlGaN 세트백 층을 제공할 수 있다. |
