| 摘要 |
반도체 웨이퍼는, 전면과 후면을 갖고, 반도체 웨이퍼의 중심과 가장자리 사이에서 평균적으로 8㎛ 이상 18㎛ 이하의 깊이로 전면으로부터 후면까지 연장되는 무결함 구역을 갖고, 무결함 구역에 인접해 있고 전면으로부터 30㎛의 거리에서 2×10㎝이상의 밀도의 BMD들이 있는 영역을 갖는 단결정 실리콘으로 구성된다. 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법은 단결정 실리콘으로 구성된 기판 웨이퍼를 제공하는 단계, 및 아르곤으로 구성된 대기에서의 기판 웨이퍼의 제1 열처리 및 아르곤과 암모니아로 구성된 대기에서의 기판 웨이퍼의 제2 열처리로 서브 분할되는 기판 웨이퍼의 RTA 처리를 포함한다. |
