发明名称 | 一种绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路 | ||
摘要 | 一种绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路,其主要包括:电源;绝缘栅双极晶体管IGBT;一个上下桥驱动信号电路;光耦U<SUB>501</SUB>;一个开关三极管控制电路;一个驱动信号放大电路;IGBT集电极-发射极电压Vce检测调节保护电路,该Vce检测调节保护电路包括短路保护电路、故障锁存电路和故障软关断电路,所述Vce检测调节保护电路在检测到绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极-发射极电压Vce异常时,通过短路保护电路控制放大电路将所述绝缘栅双极晶体管IGBT的栅极电压调低到小于其门限低压值,以使所述绝缘栅双极晶体管IGBT截止,并通过故障锁存电路实现闭合锁存,保证在CPU接受到故障信号并封锁驱动信号前能可靠地封锁所述绝缘栅双极晶体管IGBT。 | ||
申请公布号 | CN1354561A | 申请公布日期 | 2002.06.19 |
申请号 | CN01130045.0 | 申请日期 | 2001.12.10 |
申请人 | 深圳安圣电气有限公司 | 发明人 | 徐学海;李玲;刘玉虎;杜亚东;邱文渊 |
分类号 | H03K17/08;H02H7/122 | 主分类号 | H03K17/08 |
代理机构 | 广东世纪专利事务所 | 代理人 | 刘润愚 |
主权项 | 1、一种绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路,其主要包括: 一个用于提供恒压的电源U<sub>+</sub>; 一个用于控制负载通断的绝缘栅双极晶体管IGBT; 一个上下桥驱动信号电路,用于驱动光耦U<sub>501</sub>; 光耦U<sub>501</sub>,其输入端与上下桥驱动信号电路连接,其输出端产生 一个控制电压给开关三极管Q<sub>504</sub>的基极; 一个开关三极管控制电路,用于产生一个开关信号作为放大电路 的输入电压,其主要由开关三极管Q<sub>504</sub>和电阻R<sub>506</sub>组成,其中开关三 极管Q<sub>504</sub>的基极与光耦U<sub>501</sub>的输出端连接,其发射极接电源,其集电 极与放大电路连接并通过电阻R<sub>506</sub>接地; 一个放大电路,用于产生一个栅压并将其提供给所述绝缘栅双极 晶体管IGBT的栅极,其输入端与开关三极管Q<sub>504</sub>的集电极连接,其输 出端与所述绝缘栅双极晶体管IGBT的栅极连接; 其特征在于所述三极管开关电路与放大电路及所述绝缘栅双极 晶体管IGBT之间设有一个IGBT集电极-发射极电压Vce检测调节保 护电路,该Vce检测调节保护电路包括短路保护电路、故障锁存电路, 其中,短路保护电路的其中一输入端与开关三极管Q<sub>504</sub>的集电极连接, 其另一输入端接绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极——发射极电压 Vce反馈信号,其一输出端通过故障锁存电路与开关三极管Q<sub>504</sub>的基 极连接,其另一输出端与放大电路的输入端连接,且所述Vce检测调 节保护电路在检测到绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极——发射极电 压Vce异常时,通过短路保护电路控制放大电路将所述绝缘栅双极晶 体管IGBT的栅极电压调低到小于其门限低压值,以使所述绝缘栅双 极晶体管IGBT截止,并通过故障锁存电路迅速拉低开关三极管Q<sub>504</sub>的基极电压,维持开关三极管Q<sub>504</sub>导通,实现闭合锁存,保证在CPU 接受到故障信号并封锁驱动信号前能可靠地封锁所述绝缘栅双极晶 体管IGBT。 | ||
地址 | 518129广东省深圳市龙岗区坂雪岗工业区华为基地电气厂房一楼、三楼 |