| 发明名称 | 补偿型金属氧化物半导体器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法,它包括:提供具有下部绝缘体层的硅表面;制备多个邻近源极/漏极区的栅极;在所述栅极之间生长源极/漏极,使得所述源极/漏极在更大的栅极至栅极间距的区域内更厚;以及用一种或多种掺杂剂掺杂所述源极/漏极,使得所述掺杂剂毗邻于所述下部绝缘体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1354505A | 申请公布日期 | 2002.06.19 |
| 申请号 | CN01130375.1 | 申请日期 | 2001.11.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朴熙洺;安达·C·莫卡塔;沃纳·劳希 |
| 分类号 | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/8238 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体结构的方法，包括：制备具有下部绝缘体层的硅表面；制备多个邻近于源极/漏极区的栅极；在所述栅极之间生长源极/漏极，使得所述源极/漏极在更大的栅极至栅极间距的区域内更厚；以及用一种或多种掺杂剂掺杂所述源极/漏极，使得所述掺杂剂毗邻于所述下部绝缘体层。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||