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发明名称 P-CHANNEL TRENCH MOSFET STRUCTURE
摘要 <p>트렌치 기술을 이용한 저전압 P채널 전력 MOSFET는 다수의 트렌치의 측벽에 인접한 에피택셜 증착된 일정한 농도 N채널 영역을 갖는다. 일정한 농도 채널 영역은 P기판상에 증착되고, 각 트렌치의 상부에 P소스 영역을 수용한다. 소스 접점은 단방향성 전도 소자에 대해서는 채널 영역과 소스 양자에 접속되거나, 양방향성 소자에 대해서는 소스 영역에만 접속된다.</p>
申请公布号 KR100340703(B1) 申请公布日期 2002.06.15
申请号 KR19990014616 申请日期 1999.04.23
申请人 null, null 发明人 킨저다니엘엠.
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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