发明名称 |
Substrat mit einer halbleitenden Schicht, elektronisches Bauelement mit diesem Substrat, elektronische Schaltung mit mindestens einem solchen elektronischen Bauelement, druckbare Zusammensetzung sowie Verfahren zur Herstellung eines Substrats |
摘要 |
A substrate comprises at least one semiconductor layer applied to a substrate material, whereby the semiconductor layer comprises an inert matrix material, in which an inorganic semiconductor material is embedded in particle form. |
申请公布号 |
DE10059498(A1) |
申请公布日期 |
2002.06.13 |
申请号 |
DE2000159498 |
申请日期 |
2000.11.30 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHMID, GUENTER |
分类号 |
H01L21/331;H01L21/20;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/15;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/786;H01L29/861;H01L33/00;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40;(IPC1-7):H01L51/00;H01L51/20 |
主分类号 |
H01L21/331 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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