发明名称 Substrat mit einer halbleitenden Schicht, elektronisches Bauelement mit diesem Substrat, elektronische Schaltung mit mindestens einem solchen elektronischen Bauelement, druckbare Zusammensetzung sowie Verfahren zur Herstellung eines Substrats
摘要 A substrate comprises at least one semiconductor layer applied to a substrate material, whereby the semiconductor layer comprises an inert matrix material, in which an inorganic semiconductor material is embedded in particle form.
申请公布号 DE10059498(A1) 申请公布日期 2002.06.13
申请号 DE2000159498 申请日期 2000.11.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHMID, GUENTER
分类号 H01L21/331;H01L21/20;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/15;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/786;H01L29/861;H01L33/00;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40;(IPC1-7):H01L51/00;H01L51/20 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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