| 发明名称 | 产生铟离子束的装置与方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种离子源2,它包含使固体物质6退火产生蒸汽8的加热炉4,以及使蒸汽8电离产生等离子体24的等离子体发生器16。该离子源2用于产生离子束。三氟化铟用作所述的固体物质,它曾在温度600℃至低于1170℃下加热,从而能够产生稳定量的铟离子束。对于固体物质6,可以使用In(OF)<SUB>x</SUB>F<SUB>3－x</SUB>(x=1,2或3)。 | ||
| 申请公布号 | CN1353442A | 申请公布日期 | 2002.06.12 |
| 申请号 | CN01138421.2 | 申请日期 | 2001.11.09 |
| 申请人 | 日新电机株式会社 | 发明人 | 山下贵敏 |
| 分类号 | H01J27/08;H01J37/08;C23C14/48 | 主分类号 | H01J27/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;刘玥 |
| 主权项 | 1、一种产生铟离子束的方法，该方法包括下述步骤：a)在加热炉中使In(OF)xF3-x(x＝1，2或3)退火，以便在所述的加热炉中产生所述的In(OF)xF3-x(x＝1，2或3)蒸汽；b)在放电室中，使在所述加热炉中产生的所述蒸汽电离，以便产生等离子体；以及c)从所述的等离子体导出铟离子束。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||