| 主权项 |
1.一种脱铝触媒载体,其本质上系基于含铝之片状 矽酸盐,该矽酸盐含有蒙脱石的结构,且铝含量低 于0.3重量%。2.如申请专利范围第1项之触媒载体, 其制得:可藉由包括经磷酸浸渍、再经水热处理( 温度为160至300℃,水分压为4至80巴绝对)、并在20至 100℃温度用酸、硷或中性溶液冲洗,接着用水进一 步冲洗直到冲洗液为中性。3.如申请专利范围第1 项或第2项中之触媒载体,其铝含量低于0.03重量%。 4.一种降低触媒载体铝含量的方法,该触媒载体本 质上包括具有蒙脱石结构之含铝片状矽酸盐,其方 法包括: -将触媒载体以酸浸渍, -在温度为160至300℃,以及水分压为4至80巴绝对的 情况下,经水热处理之, -再用酸、硷或中性溶液在20至100℃温度下冲洗之, -接着用水进一步冲洗直到冲洗液为中性。5.如申 请专利范围第4项之方法,其中触媒载体在温度为 220至260℃,以及水分压为16至25巴绝对的情况下,经 水热处理。6.如申请专利范围第4项之方法,其中经 水热处理之触媒载体,被作为水合反应之触媒用。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中黏合的有机碳 成分,在300至1000℃烧尽后触媒载体中被除去。8.如 申请专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其中 在冲洗的步骤中,触媒载体系用水处理。9.如申请 专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其中在冲 洗的步骤中,触媒载体系用氢氯酸处理。10.如申请 专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其中在冲 洗的步骤中,触媒载体系用含有0至30份浓氢氯酸之 水来处理。11.如申请专利范围第4项至第7项中任 一项之方法,其中冲洗在70至90℃的范围内进行。12 .如申请专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其 中触媒载体的形状为球面体。13.如申请专利范围 第12项之方法,其中触媒载体的形状为球体。14.如 申请专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其中 触媒载体的直径为1至10毫米。15.如申请专利范围 第14项之方法,其中触媒载体的直径为4至6毫米。16 .如申请专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其 中触媒载体的总孔体积为0.2至0.9毫升/克。17.如申 请专利范围第16项之方法,其中触媒载体的总孔体 积为0.6至0.7毫升/克。18.如申请专利范围第4项至 第7项中任一项之方法,其中触媒载体的压缩强度 至少10牛顿/毫米。19.如申请专利范围第18项之方 法,其中触媒载体的压缩强度至少20牛顿/毫米。20. 如申请专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其 中触媒载体基于蒙脱石所制得。21.如申请专利范 围第4项至第7项中任一项之方法,其中处理后之触 媒载体的铝含量低于0.3重量%。22.如申请专利范围 第21项之方法,其中处理后之触媒载体的铝含量低 于 0.03重量%。23.如申请专利范围第4项至第7项中任一 项之方法,其中触媒载体系经无机酸浸渍。24.如申 请专利范围第4项至第22项中任一项之方法,其中触 媒载体系经磷酸浸渍。25.一种在触媒存在下以水 来水合C2-或C3-烯烃的方法,其中触媒包括如申请专 利范围第1项至第24项中任一项经酸浸渍的触媒载 体。26.如申请专利范围第25项之方法,其中 -水合反应在反应器中进行, -反应器内烯烃对水的莫耳比为0.1至0.8, -气体小时空间速率为10至100公升n/分/公升cat, -触媒含有5至60重量%的酸,且 -在170至300℃的温度、压力为20至200巴绝对下,进行 烯烃之水合反应。27.如申请专利范围第4项至第7 项中任一项之方法,其中触媒载体所浸渍的酸为10 至90重量%强度的磷酸。28.如申请专利范围第27项 之方法,其中触媒载体所浸渍的酸为50至60重量%强 度的磷酸。29.如申请专利范围第4项至第7项中任 一项之方法,其中触媒含有30至40重量%的磷酸。30. 如申请专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其 中乙烯来制造乙醇之水合反应,进行的温度范围为 220至260℃,压力为60至80巴。31.如申请专利范围第4 项至第7项中任一项之方法,其中所使用的烯烃和 所使用的水系以气相饲入反应器。32.如申请专利 范围第4项至第7项中任一项之方法,其中酸系于水 合反应进行期间导入反应器。33.如申请专利范围 第32项之方法,其中所使用的酸为磷酸。34.如申请 专利范围第4项至第7项中任一项之方法,其中酸系 连续喷洒入反应器中。图式简单说明: 第1图所示者系为于不同触媒存在下,乙烯反应速 率与操作时间之关系曲线图。 第2图所示者系为于不同触媒存在下,乙醇形成速 率与操作时间之关系曲线图。 |
