| 主权项 |
1.一种封装件结构,其包括:一基板,该基板具有一上表面;一晶片,该晶片位于该基板之该上表面,且该晶片具有一中央区域与一接合焊垫区域;一黏着层介于该晶片与该基板之间,且该黏着层具有一厚度,其中该黏着层位于该晶片之该中央区域下方之该基板的该上表面上;复数个凸块介于该晶片与该基板之间,且每一该些凸块具有一高度,其中该些凸块位于该晶片之该接合焊垫区域下方的该基板的该上表面上;复数条导线,电性连接该晶片与该基板;以及一封胶材料位于该基板之该上表面上,且该封胶材料包覆该晶片、该些导线、该黏着层、该些凸块与该基板。2.如申请专利范围第1项所述之封装件结构,其中该黏着层之该厚度约大于该些凸块之该高度。3.如申请专利范围第1项所述之封装件结构,其中该些凸块之材质之硬度大于该黏着层之材质硬度。4.如申请专利范围第1项所述之封装件结构,其中该些凸块之玻璃转换温度约为摄氏180度至300度。5.如申请专利范围第1项所述之封装件结构,其中该些凸块与该黏着层所包围之一区域约小于该晶片之大小。6.一种堆叠式多重晶片封装件结构,其包括:一基板,该基板具有一上表面;一第一晶片,该第一晶片位于该基板之该上表面,且该第一晶片具有一中央区域与一接合焊垫区域;一第二晶片位于该第一晶片上方,且该第二晶片具有一中央区域与一接合焊垫区域;一第一黏着层介于该第一晶片与该基板之间,且该第一黏着层具有一厚度,其中该第一黏着层位于该第一晶片之该中央区域下方之该基板的该上表面上;复数个第一凸块介于该第一晶片与该基板之间,且每一该些第一凸块具有一高度,其中该些第一凸块位于该第一晶片之该接合焊垫区域下方的该基板的该上表面上;一第二黏着层介于该第一晶片与该第二晶片之间,且该第二黏着层具有一厚度,其中该第二黏着层位于该第二晶片之该中央区域下方之该第一晶片上;复数个第二凸块介于该第一晶片与该第二晶片之间,且每一该些第二凸块具有一高度,其中该些第二凸块位于该第二晶片之该接合焊垫区域下方的该第一晶片上;复数条导线,电性连接该第一晶片与该基板以及电性连接该第二晶片与该基板;以及一封胶材料位于该基板之该上表面上,且该封胶材料包覆该第一晶片、该第二晶片、该些导线、该第一黏着层、该第二黏着层、该些第一凸块、该些第二凸块与该基板。7.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该第一黏着层之该厚度约大于该些第一凸块之该高度。8.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该些第一凸块之硬度大于该黏着层之硬度。9.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该些第一凸块之玻璃转换温度约为摄氏180度至300度。10.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该些第一凸块与该第一黏着层所包围之一区域约小于该第一晶片之大小。11.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该第二黏着层之该厚度约大于该些第二凸块之该高度。12.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该些第二凸块之硬度大于该黏着层之硬度。13.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该些第二凸块之玻璃转换温度约为摄氏180度至300度。14.如申请专利范围第6项所述之堆叠式多重晶片封装件结构,其中该些第二凸块与该第二黏着层所包围之一区域约小于该第二晶片之大小。图式简单说明:第1A图所示,为根据本发明一较佳实施例之一封装件之剖面简图;第1B图所示,为根据本第1A图之封装件的上视透视图;以及第2图所绘示为根据本发明之一种堆叠式多重晶片封装件之剖面简图。 |
