| 发明名称 | 制造绝缘薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在室温和1大气压下,在硅上生成SiO<SUB>2</SUB>膜的方法。这种方法能够利用随氧化气体一起加入惰性气体并施加RF电能,以产生等离子体生成的氧原子和游离基,在较低的温度下进行氧化。也能够利用使含氮气体与惰性气体一起流动并施加RF电能,在压力高达1大气压下产生等离子体,以制造氮化硅膜。此外,上述方法也可以采用微波电能代替RF电能以产生等离子体来进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1351760A | 申请公布日期 | 2002.05.29 |
| 申请号 | CN00804309.4 | 申请日期 | 2000.12.27 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | K·拉梅舒 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;郭广迅 |
| 主权项 | 1.一种制造SiO2膜的方法，其包括在总压力为90kPa-110kPa的惰性气体和氧化气体存在下，施加RF电能的步骤，以产生包含反应性氧化物质的等离子体，反应性氧化物质与基片的硅部分反应，以将至少一部分硅转化成SiO2。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||