| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법에 관한 것으로, 구리 배선과 하부 배선층 사이에 형성되는 장벽층의 스텝 커버리지가 불량하여 장벽특성이 저하되고 소자의 신뢰성이 저하되는 문제점을 해결하기 위하여, 구리 배선을 매립하기 위한 비아홀 및 트렌치에 접착층을 형성하고 이를 질소 플라즈마 처리하여 장벽층을 형성하므로써, 스퍼터링 방법으로 장벽층을 형성하는 경우보다 하부 배선층과의 장벽 특성 및 스텝 커버리지 특성을 개선할 수 있어, 소자의 동작 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법이 개시된다.</p> |
