| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE59707017(D1) |
申请公布日期 |
2002.05.23 |
| 申请号 |
DE19975007017 |
申请日期 |
1997.07.11 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
RISTOW, DR.;MESQUIDA KUESTERS, DR. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/335;H01L29/778;(IPC1-7):H01L21/335 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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