发明名称 |
电介质电容器及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供显示出优异的介电特性的电介质电容器。硅基片2上设置有二氧化硅层4、下部电极12、强电介质层8、以及上部电极15。下部电极12由氧化钯构成。而上部电极15也由氧化钯构成。氧化钯能防止强电介质膜8中的氧透过。以此,可以得到显示出优异的介电特性的电介质电容器。#! |
申请公布号 |
CN1085411C |
申请公布日期 |
2002.05.22 |
申请号 |
CN96190228.0 |
申请日期 |
1996.07.05 |
申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
中村孝 |
分类号 |
H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
沈昭坤 |
主权项 |
1.一种电介质电容器,其特征在于,具备:至少具有WOx层、TiOx层、TaOx层、IrO2层、PtO2层、RuOx层、ReOx层、PdOx层、OsOx层中的任一氧化层,并且在上面形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层的下部电极、形成于下部电极上的所述导体层上面,由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、在该电介质层上形成的上部电极。 |
地址 |
日本京都府京都市 |