| 主权项 |
1.一种介电层之制造方法,包括:提供一半导体晶圆,且该半导体晶圆上已形成有复数个导线结构;将该半导体晶圆移入一反应室;进行一第一步骤,以该反应室上方之一中央喷管由该半导体晶圆正上方向该半导体晶圆输入一第一反应气体;在该第一步骤进行之后,进行一第二步骤,以该反应室周围之复数个喷管由该半导体晶圆边缘向该半导体晶圆中央输入一第二反应气体,使该第一反应气体与该第二反应气体在一温度下于该半导体晶圆上形成一衬层;以及以高密度电浆化学沈积法形成一介电层于该衬层上。2.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中该第一反应气体包括矽甲烷。3.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中该第二反应气体包括矽甲烷/氧气之混合气体。4.如申请专利范围第3项所述之介电层之制造方法,其中矽甲烷/氧气之混合气体系以45/30sccm之流量输入。5.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中该衬层包括一富含矽氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中形成该衬层之该温度为摄氏150度至摄氏400度。7.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中输入该第一气体之流量为大于10sccm。8.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中该衬层之折射率约为1.6至1.8。9.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中该衬层之厚度为600埃至800埃。10.如申请专利范围第1项所述之介电层之制造方法,其中该介电层之材质包括含氟玻璃。11.一种介电层之制造方法,包括:将一半导体晶圆移入一反应室;进行一第一步骤,以该反应室上方之一中央喷管由该半导体晶圆正上方向该半导体晶圆输入矽甲烷;在该第一步骤进行之后,进行一第二步骤,以该反应室周围之复数个喷管由该半导体晶圆边缘向该半导体晶圆中央输入矽甲烷/氧气之混合气体,使矽甲烷与矽甲烷/氧气之混合气体在一温度下于该半导体晶圆上形成一衬层;以及以高密度电浆化学沈积法形成一介电层于该衬层上。12.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中该衬层包括一富含矽氧化层。13.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中形成该衬层之该温度为摄氏150度至摄氏400度。14.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中输入矽甲烷之流量为大于10sccm。15.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中矽甲烷/氧气之混合气体系以45/30sccm之流量输入。16.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中该衬层之折射率约为1.6至1.8。17.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中该衬层二厚度为600埃至800埃。18.如申请专利范围第11项所述之介电层之制造方法,其中该介电层之材质包括含氟玻璃。19.一种富含矽氧化层的制造方法,包括:提供一晶圆,且该晶圆位于一反应室中;进行一第一步骤,以该反应室上方之一中央喷管由该晶圆正上方向该晶圆输入矽甲烷;以及在该第一步骤进行之后,进行一第二步骤,以该反应室周围之复数个喷管由该晶圆边缘向该晶圆中央输入矽甲烷/氧之混合气体,且该第一步骤与该第二步骤控制在一温度下进行。20.如申请专利范围第19项所述之富含矽氧化层的制造方法,其中输入之矽甲烷流量为大于10sccm。21.如申请专利范围第19项所述之富含矽氧化层的制造方法,其中矽甲烷/氧气之混合气体系以45/30sccm之流量输入。22.如申请专利范围第19项所述之富含矽氧化层的制造方法,其中该温度为摄氏150度至摄氏400度。图式简单说明:第1图所示,为依照本发明一较佳实施例之介电层之制造流程剖面图;以及第2图所示,为依照本发明一较佳实施例之沈积过程中之机台上视图。 |
