| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体,其特征在于具备复数个字线与复数个位元线及复数个记忆元件,该记忆元件具有对存积于上述复数之字线与位元线交点的浮动闸门之电荷量作对应之记忆资料,并进行上述记忆资料之电子性写入及删除的动作,该记忆体具有写入控制电路,其系对上述记忆元件以特定的写入量实施写入动作,并进行确认动作后,控制上述存积于浮动闸门之电荷量;上述写入控制电路在开始进行写入之际,实施至少一次到复数次写入量之设定较上述特定写入量低的搜寻写入动作,及与该动作对应之确认动作。2.如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体,其中上述写入量系依照电压大小与写入时间的积来设定,上述特定的写入量系以电压和时间来设定,且上述记忆元件之临限値电压的变化量必须大致维持固定;上述搜寻写入动作之复数次的写入量必须对应上述特定的写入量设定。3.如申请专利范围第2项之非挥发性记忆体,其中:上述记忆元件系具有对应存积于浮动闸门电荷量之包含4値的记忆资料者。4.如申请专利范围第3项之非挥发性记忆体,其中上述特定的写入量,系依照写入次数增加其写入量,并控制与各写入动作对应之上述临限値电压的变化量,大约保持固定者。5.如申请专利范围第4项之非挥发性记忆体,其中上述搜寻写入动作系相较于对应上述特定写入量的写入动作,至少写入时间较短者。6.如申请专利范围第5项之非挥发性记忆体,其中对应上述写入次数之写入量的增加,系于固定写入电压下,相较先前的写入动作,写入时间的增加者。7.如申请专利范围第5项之非挥发性记忆体,其中对应上述写入次数之写入量的增加,系至少增加先前的写入时间者。8.一种非挥发性记忆体之写入方法,其特征为:具有复数的字线与复数的位元线,及于上述复数的字线与复数的位元线交点之复数的记忆元件,其系包含对应存积于浮动闸门电荷量之记忆资料,并进行上述记忆资料电子式的写入及删除之动作;于开始写入时,进行1次乃至复数次已设定为较上述特定之写入量的搜寻写入动作及该对应的确认动作;于复数次的搜寻写入动作与确认动作后,进行对上述已设定特定写入量之写入动作及该对应之确认动作以控制写入动作;及终止上述写入动作,系于上述确认动作中,当判定对应于上述记忆元件之浮动闸门电荷量的临限値电压到达预期的临限値电压时执行。9.如申请专利范围第8项之非挥发性记忆体之写入方法,其中上述写入量,系以电压大小及写入时间的积来设定者;上述特定的写入量,系以电压和时间来设定,将上述记忆元件之临限値电压的变化量大约维持固定者;及于上述搜寻写入动作之复数次的写入量,系对应上述特定的写入量设定者。10.如申请专利范围第9项之非挥发性记忆体之写入方法,其中上述记忆元件系具有对应存积于浮动闸门电荷量之包含4値的记忆资料者。11.如申请专利范围第10项之非挥发性记忆体之写入方法,其中上述特定的写入量,系依照写入次数增加其写入量,并控制与各写入动作对应之上述临限値电压的变化量,大致保持固定者。12.如申请专利范围第11项之非挥发性记忆体之写入方法,其中上述搜寻写入动作系相较于对应上述特定写入量之写入动作,至少写入时间较短者。13.如申请专利范围第12项之非挥发性记忆体之写入方法,其中对应上述写入次数之写入量的增加,系于固定写入电压下,相较先前的写入动作,写入时间的增加者。14.如申请专利范围第12项之非挥发性记忆体之写入方法,其中对应上述写入次数之写入量的增加,系至少增加先前的写入时间者。图式简单说明:图1为一实施例一说明图,其用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入方法。图2为其他实施例一说明图,其用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入方法。图3为另一其他实施例一说明图,其用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入方法,图4为一特性图,其用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入方法。图5为一特性图,其用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入特性。图6(A)、(B)为一特性图,其用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入特性。图7为一区块图,其系用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之一实施例。图8为一区块图,其系用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之一实施例。图9为一区块图,其系用来说明,与本发明有关之非挥发性记忆体之记忆阵列栅之一实施例。图10为一电路图,其系显示图9之次区块之一实施例。图11为一记忆晶体之实施例之概略元件结构剖面图,且该记忆晶体系与使用于与本发明有关之非挥发性记忆体中。图12为一记忆阵列之实施例的电路图,该记忆阵列系以与本发明有关之非挥发性记忆体之感知闩为中心。图13为一流程图,其系用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之删除动作。图14(A)、(B)为进行删除动作时之临限値的分布图。图15为一整体流程图,其系用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入动作。图16(A)、(B)为一部份流程图,其系用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之写入动作。图17为图15.图16进行写入动作时之临限値的分布图。图18为图15.图16进行写入动作时之临限値的分布图。图19为一部份流程图,其系用来说明与本发明有关之非挥发性记忆体之读出动作。图20为图19进行读出动作时之临限値的分布图。图21(A)、(B)为一临限値电压分布图,其系用来说明与本发明有关之快闪记忆体之记忆状态。图22为记忆体装置实施例之方块图,该记忆装置系使用与本发明有关之快闪记忆体。图23为一整体电路方块图,其系用来说明与本发明有关之半导体积体电路之其他实施例。图24为用来说明快闪记忆体写入动作的结构图。图25为一说明图,其系说明,在本发明之前所研发出来之快闪记忆体写入方法的一例。 |
