| 发明名称 | 无损读出磁阻随机存取存储器的存储单元的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于无损自规一化读出MRAM存储器的存储单元的一种方法和一种装置。在此用存储单元的与存储器内容无关的电阻值将读出信号规一化。 | ||
| 申请公布号 | CN1348190A | 申请公布日期 | 2002.05.08 |
| 申请号 | CN01123079.7 | 申请日期 | 2001.07.25 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·霍夫曼;O·科瓦里克 |
| 分类号 | G11C11/15;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.用于无损读出MRAM存储器的存储单元的方法，其特征在于以下的方法步骤：(a)确定在一种电压时存储单元的标准电阻值(Rnorm)，在此电压时存储单元的电阻值与存储单元的单元内容无关，(b)确定在一种电压时存储单元的实际电阻值R(0)或R(1)，在此电压时存储单元的电阻值取决于存储单元的单元内容，(c)借助标准电阻值通过形成Rnorm(0)＝R(0)/Rnorm或Rnorm(1)＝R(1)/Rnorm规一化实际电阻值，(d)将Rnorm(0)或Rnorm(1)与基准值比较和(e)取决于比较结果检测作为0或1的存储单元内容。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||