发明名称 多孔材料
摘要 揭示一种用于电子器件制造中所用的具有低介电常数的多孔有机多硅介电材料以及该多孔有机多硅介电材料的制备方法。还揭示了形成含有这种多孔以及聚硅氧烷介电材料的集成电路的方法。
申请公布号 CN1347932A 申请公布日期 2002.05.08
申请号 CN01117235.5 申请日期 2001.03.27
申请人 希普雷公司 发明人 Y·尤;A·A·拉莫拉;R·H·戈尔;M·K·格拉戈尔;N·安南
分类号 C08J5/00;C08L83/00 主分类号 C08J5/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈季壮
主权项 1.一种制备多孔有机多硅介电材料的方法,包括以下步骤:a)在半熔阶段有机多硅介电材料中分散可除去的交联聚合物多孔体;b)固化半熔阶段有机多硅介电材料形成有机多硅介电基质材料而基本上不破坏多孔体;和c)使有机多硅介电基质材料经受这样的条件,即至少部分除去多孔体形成多孔有机多硅介电材料而基本上不破坏有机多硅介电材料,其中多孔体与半熔阶段有机多硅介电材料基本上相容而且其中多孔体包括作为聚合单元的至少一种选自含有甲硅烷基单体或聚(烯化氧)单体的化合物和一种或多种交联剂。
地址 美国马萨诸塞