| 主权项 |
1.一种凸型对准标记的制造方法,该制造方法至少包含下列步骤:提供一基材;进行微影制程,以形成一光阻图案层于该基材上,其中该基材具有一元件区域与一对准区域,以及该光阻图案层具有一元件光阻区域与一对准光限区域;沈积一第一介电层于该元件光阻区域上与该对准光阻区域上,并使该第一介电层高于该光阻图案层;去除高于该光阻图案层之该第一介电层,使得该光阻图案层与该第一介电层共平面,并曝露出该光阻图案层;剥除在该对准区域与该元件区域上之该光阻图案层,以形成该凸型对准标记于该对准区域上;形成一第二介电层于该凸型对准标记上及该元件区域,并保持该凸型对准标记之一位阶高度;同时进行蚀刻制程于该对准区域以及该元件区域,以去除该凸型对准标记上之第二介电层,并在该元件区域蚀刻出接触洞;形成一第一导电层于该凸型对准标记以及该元件区域;进行一平坦化制程,以平坦化该元件区域之表面,并维持该凸型对准标记之该位阶高度;以及形成一第二导电层于该凸型对准标记以及该元件区域上,以作为金属内连线。2.如申请专利范围第1项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该凸型对准标记系使用于晶圆对准、膜层对准以及其任意组合群体中之一种。3.如申请专利范围第1项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该第一介电层系利用矽甲烷(SiH4)以及臭氧(O3),以液态形式沈积该氧化矽(SiOx)层。4.如申请专利范围第3项所述之凸型对准标记的制造方法,其中沈积该氧化矽(SiOx)层的温度介于0℃至160℃,并进行适当温度之烘焙乾燥。5.如申请专利范围第1项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该第一介电层系选自矽(Si)、氮化矽(Si3N4)、硼磷矽玻璃(BPSG)、旋涂式玻璃(SOG)、氧矽甲烷玻璃(OSG)以及其任意组合群体中之一种。6.如申请专利范围第1项所述之凸型对准标记的制造方法,其中去除高于该光阻图案层之该第一介电层的步骤至少包含回蚀(Etch Back)法。7.如申请专利范围第1项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该对准光阻区域的厚度等于该凸型对准标记的厚度,以精确控制该凸型对准标记的厚度,以产生适当之该位阶高度。8.如申请专利范围第7项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该对准光阻区域的厚度大于1000埃。9.如申请专利范围第7项所述之凸型对准标记的制造方法,该凸型对准标记的厚度Dam≧(S+Dc),其中S为该位阶高度,以及Dc为该第一导电层的厚度。10.一种凸型对准标记的制造方法,该制造方法至少包含下列步骤:提供一基材;进行微影制程,以形成一光阻图案层于该基材上,其中该基材具有一元件区域与一对准区域,以及该光阻图案层具有一元件光阻区域与一对准光阻区域;沈积一第一介电层于该元件光阻区域上与该对准光阻区域上,并使该第一介电层高于该光阻图案层;去除高于该光阻图案层之该第一介电层,使得该光阻图案层与该第一介电层共平面,并曝露出该光阻图案层;剥除在该对准区域与该元件区域上之该光阻图案层,以形成该凸型对准标记于该对准区域上。11.如申请专利范围第10项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该凸型对准标记系使用于晶圆对准、膜层对准以及其组合中之一种。12.如申请专利范围第10项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该第一介电层系利用矽甲烷(SiH4)以及臭氧(O3),以液态形式沈积该氧化矽(SiOx)层。13.如申请专利范围第12项所述之凸型对准标记的制造方法,其中沈积该氧化矽(SiOx)层的温度介于0℃至160℃,并进行适当温度之烘焙乾燥。14.如申请专利范围第10项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该第一介电层系选自矽(Si)、氮化矽(Si3N4)、硼磷矽玻璃(BPSG)、旋涂式玻璃(SOG)、氧矽甲烷玻璃(OSG)以及其任意组合群体中之一种。15.如申请专利范围第10项所述之凸型对准标记的制造方法,其中去除高于该光阻图案层之该第一介电层的步骤至少包含回蚀(Etch Back)法。16.如申请专利范围第10项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该凸型对准标记的厚度等于该对准光阻区域的厚度,以精确控制该凸型对准标记的厚度,以产生适当之该位阶高度。17.如申请专利范围第16项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该对准光阻区域的厚度大于1000埃。18.如申请专利范围第16项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该位阶高度大于1000埃。19.一种凸型对准标记的制造方法,其中该凸型对准标记具有一位阶高度,该制造方法至少包含下列步骤:进行微影制程,以形成一光阻图案层于一基材上,其中该基材具有一元件区域与一对准区域,以及该光阻图案层具有一元件光阻区域与一对准光阻区域;沈积一第一介电层于该元件光阻区域上与该对准光阻区域上,其中该第一介电层系为利用矽甲烷以及臭氧,以液态形式沈积一氧化矽(SiOx)层,并使该氧化矽层高于该光阻图案层;去除高于该光阻图案层之该第一介电层,使得该光阻图案层与该第一介电层共平面,并曝露出该光阻图案层;剥除在该对准区域与该元件区域上之该光阻图案层,以形成该凸型对准标记于该对准区域上;形成一第二介电层于该凸型对准标记上及该元件区域;同时进行蚀刻制程于该对准区域以及该元件区域,以去除该凸型对准标记上之第二介电层,并在该元件区域蚀刻出接触洞;形成一第一导电层于该凸型对准区域以及该元件区域;以及进行一平坦化制程,以平坦化该元件区域之表面,并维持该凸型对准标记之该位阶高度。20.如申请专利范围第19项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该凸型对准标记系使用于晶圆对准、膜层对准以及其组合群体中之一种。21.如申请专利范围第19项所述之凸型对准标记的制造方法,其中沈积该氧化矽(SiOx)层的温度介于0℃至160℃,并进行适当温度之烘焙乾燥。22.如申请专利范围第19项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该第一介电层系选自矽(Si)、氮化矽(Si3N4)、硼磷矽玻璃(BPSG)、旋涂式玻璃(SOG)、氧矽甲烷玻璃(OSG)以及其任意组合群体中之一种。23.如申请专利范围第19项所述之凸型对准标记的制造方法,其中去除高于该光阻图案层之该第一介电层的步骤至少包含回蚀(EtchBack)法。24.如申请专利范围第19项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该对准光阻区域的厚度等于该凸型对准标记的厚度,以精确控制该凸型对准标记的厚度,以产生适当之该位阶高度。25.如申请专利范围第24项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该对准光阻区域的厚度大于1000埃。26.如申请专利范围第24项所述之凸型对准标记的制造方法,该凸型对准标记的厚度Dam≧(S+Dc),其中S为该位阶高度,以及Dc为该第一导电层的厚度。27.如申请专利范围第24项所述之凸型对准标记的制造方法,其中该位阶高度大于1000埃。图式简单说明:第1图至第6图绘示依据习知技术之半导体制程中,凹型对准标记及其元件区域剖面图;第7图至第10图绘示依据本发明一较佳实施例之一种凸型对准标记的制造方法;以及第11图至第15图绘示依据本发明之半导体制程中,凸型对准标记及其元件区域剖面图。 |
