| 主权项 |
1.一种可消除钨残留之钨栓塞形成方法,步骤包括:提供一半导体晶圆;形成一介电层于该晶圆表面上,其中该晶圆的边缘区域并未完全被该介电层所覆盖;蚀刻该介电层以形成一接触开口(via);形成一扩散阻障层于该介电层和该晶圆露出的表面上;形成一钨层以填满该接触开口,并覆盖在该扩散阻障层表面上;对该钨层施行一化学性机械研磨程序,至露出该扩散阻障层表面为止,藉此使留在该接触窗内的钨层形成一钨插塞(W plug),其中,在该晶圆边缘区域上仍有未被磨除的残留钨层;以及对上述化学机械研磨后边缘具有钨残留之晶圆的背面实施的旋转蚀刻。2.如专利申请范围第1项所述之可消除钨残留之钨栓塞形成方法,其中该介电层系一矽氧化物层。3.如专利申请范围第1项所述之可消除钨残留之钨栓塞形成方法,其中该扩散阻障层系一氮化钛层。4.如专利申请范围第1项所述之可消除钨残留之钨栓塞形成方法,其中该介电层系一矽氧化物层。5.如专利申请范围第1项所述之可消除钨残留之钨栓塞形成方法,其中上述旋转蚀刻的步骤包括:提供一平台,具有一第一进气孔、一第一出气孔及一第二出气孔;将该晶圆置于上述平台上,其中上述晶圆之周围具有挡板,用以挡住蚀刻液;以及将蚀刻液滴到上述晶圆之背面并实施旋转蚀刻(SPIN ECTH);其中上述蚀刻液滴到上述晶圆之背面后,利用离心力,上述蚀刻液会流动到上述晶圆的周围,接触到上述晶圆之周围上的挡板后,渗透到上述晶圆的正面,蚀刻上述晶圆之周围。6.如专利申请范围第5项所述之可消除钨残留之钨栓塞形成方法,其中上述第一连气孔通入氮气N2,经由上述第一及第二出气孔喷出,阻绝上述渗透到上述晶圆之正面的蚀刻液只在上述晶圆的周围流动,于上述晶圆之周围蚀刻进行蚀刻。7.如专利申请范围第5项所述之可消除钨残留之钨栓塞形成方法,其中用以控制上述第一连气孔通入氮气N2之流量,来控制蚀刻液对上述晶圆之正面的蚀刻程度。图式简单说明:第1A图至第1C图系显示一般利用化学机械研磨处理以形成钨插塞的制造过程,其中图的右半部为晶圆的边缘区域,左半部为晶圆的其他区域。第2A图至第2C图系显示一习知排除边缘区域之沈积技术的制造过程,其中图的右半部为晶圆的边缘区域,左半部为晶圆的其他区域。第3A图至第3D图系显示一本发明形成钨插塞制造过程,其中图的右半部为晶圆的边缘区域,左半部为晶圆的其他区域。第4图为本发明实施例中背蚀刻之操作架构图。 |
