| 主权项 |
1.一种导电糊,其包括:一种包含Ni的导电粉末;一种有机载剂;化合物A,其包括Mg、Ca与Ba其中至少一者,并且选自包括有机酸金属盐、有机金属复盐和醇盐;以及经水解化合物B,其黏附在导电粉末表面上,包括Al和Si其中至少一者。2.根据申请专利范围第1项之导电糊,其中化合物A黏附在该导电粉末表面上。3.根据申请专利范围第2项之导电糊,其中化合物B包括一种烷氧基。4.根据申请专利范围第2项之导电糊,其中化合物B包括一种醇盐。5.根据申请专利范围第2项之导电糊,其中化合物B是至少一种选自铝螯合化合物、烷醇铝、矽烷单体和烷醇矽的材料。6.根据申请专利范围第5项之导电糊,其中相对于100%重量导电粉末,以SiO2和Al2O3测量之经水解化合,物B的黏附量为约0.1至5.0%重量。7.根据申请专利范围第6项之导电糊,其中经水解化合物B包含Si,而且以SiO2计之Si与化合物A中以MgO、CaO和BaO计之Mg、Ca和Ba总量的莫耳比在0.5至10.0范围内。8.根据申请专利范围第6项之导电糊,其中经水解化合物B包含Al,而且以Al2O3计之Al与化合物A中以MgO、CaO和BaO计之Mg、Ca和Ba总量的莫耳比在0.5至4.0的范围内。9.根据申请专利范围第6项之导电糊,其中化合物A系选自包括乙酸镁、辛酸镁、辛酸钙、甲酸钙和乙醯丙酮酸钡,而且其中化合物B系选自包括四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、三异丙氧基铝、二异丙氧基乙醯烷醇铝和三丁氧基铝。10.根据申请专利范围第1项之导电糊,其中化合物B是至少一种选自铝螯合化合物、烷醇铝、矽烷单体和烷醇矽的材料。11.根据申请专利范围第10项之导电糊,其中相对于100%重量导电粉末,以SiO2和Al2O3测量之经水解化合物B的黏附量为0.1至5.0%重量。12.根据申请专利范围第11项之导电糊,其中经水解化合物B包含Si,而且以SiO2计之Si与化合物A中以MgO、CaO和BaO计之Mg、Ca和Ba总量的莫耳比在0.5至10.0范围内。13.根据申请专利范围第11项之导电糊,其中经水解化合物B包含Al,而且以Al2O3计之Al与化合物A中以MgO、CaO和BaO计之Mg、Ca和Ba总量的莫耳比在0.5至4.0的范围内。14.根据申请专利范围第11项之导电糊,其中化合物A系选自包括乙酸镁、辛酸镁、辛酸钙、甲酸钙和乙醯丙酮酸钡,而且其中化合物B系选自包括四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、三异丙氧基铝、二异丙氧基乙醯烷醇铝和三丁氧基铝。15.一种积层陶瓷电子元件,其包括一陶瓷积层制件,该积层制件具有数层彼此层压之陶瓷层、具有侧面和至少一个介于一对陶瓷层之间的内部电极,包括该内部电极的改良物系申请专利范围第11项之经烧制导电糊。16.一种积层陶瓷电子元件,其包括一陶瓷积层制件,该积层制件具有数层彼此层压之陶瓷层、具有侧面和至少一个介于一对陶瓷层之间的内部电极,包括该内部电极的改良物系申请专利范围第6项之经烧制导电糊。17.一种积层陶瓷电子元件,其包括一陶瓷积层制件,该积层制件具有数层彼此层压的陶瓷层,其包括钛酸钡、具有侧面和至少一个介于一对陶瓷层之间的内部电极以及至少一个在积层制件侧面上并与该内部电极电接触的末端电极,包括该内部电极的改良物系申请专利范围第2项之经烧制导电糊。18.根据申请专利范围第17项之积层陶瓷电子元件,其中该陶瓷层包括钛酸钡,而且另外包括至少一个位于该积层制件侧面上并与该内部电极电接触的末端电极。19.一种积层陶瓷电子元件,其包括一陶瓷积层制件,该积层制件具有数层彼此层压的陶瓷层、具有侧面和至少一个介于一对陶瓷层之间的内部电极,包括该内部电极的改良物系申请专利范围第1项之经烧制导电糊。20.根据申请专利范围第19项之积层陶瓷电子元件,其中陶瓷层包括钛酸钡,而且另外包括至少一个位于该积层制件侧面上并与该内部电极电接触的末端电极。图式简单说明:图1系显示本发明具体实施例之积层陶瓷电容器的横剖面图。 |
