| 主权项 |
1.一种超音波洗净方法,其系将施加超音波之洗净液供给于被洗净体,以洗净被洗净体者,其特征为:对于上述洗净液将上述超音波以既定间隔施加反复ONOFF。2.如申请专利范围第1项之超音波洗净方法,其中上述超音波系以既定间隔反复ONOFF。3.如申请专利范围第1项之超音波洗净方法,其中将上述超音波重叠于脉冲状之载波。4.如申请专利范围第3项之超音波洗净方法,其中上述载波之频率系较上述超音波之振荡频率为低。5.如申请专利范围第1项之超音波洗净方法,其中上述超音波之振荡频率为0.6MHz以上。6.如申请专利范围第1项之超音波洗净方法,其中载波之作用比为80%以下。7.一种洗净方法,其系具有:照射第1超音波以洗净被洗净物之第1工程,与照射第2超音波以洗净被洗净物之第2工程。8.如申请专利范围第7项之洗净方法,其中将上述第1工程及第2工程连续性地反复进行。9.如申请专利范围第7项之洗净方法,其中将上述第1超音波与上述第2超音波依序以一定间隔改变照射被洗净物进行洗净。10.如申请专利范围第7项之洗净方法,其中上述载波之振荡频率为0.6 MHz以上。11.如申请专利范围第7项之洗净方法,其中上述第1超音波与上述第2超音波,系相位,波长,振幅之任一为相异。12.如申请专利范围第11项之洗净方法,其中上述第2超音波之波长,系与上述第1超音波之波长之整数倍或整数分之1波长为相异。13.如申请专利范围第11项之洗净方法,其中上述超音波之振荡频率为0.6 MHz以上。14.一种洗净方法,其系将复数种类之超音波连续地照射以洗净被洗净物。15.如申请专利范围第14项之洗净方法,其中上述超音波系依各既定间隔照射被洗净物进行洗净。16.如申请专利范围第14项之洗净方法,其中上述复数种类之超音波,系相位,波长,振幅之任一为相异。17.一种半导体装置之制造方法,其系将包含宽0.2m以下,宽高比为1.0以上之凸形状构造物之图案所形成之表面,连续照射复数种类之超音波进行洗净。18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中上述复数种类之超音波,系相位,波长,振幅之任一为相异。19.一种半导体装置之制造方法,其系将露出金属配线之表面,连续地照射复数种类之超音波进行洗净。20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中上述复数种类之超音波,系相位,波长,振幅之任一为相异。21.一种主动矩阵型显示装置之制造方法,其系将矽或露出金属之表面,连续地照射复数种类之超音波进行洗净。22.如申请专利范围第21项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中上述复数种类之超音波,系相位,波长,振幅之任一为相异。图式简单说明:第1A图到第1F图系洗净原理之机制之模式图。第2图系形成于矽晶圆之损伤之说明图。第3A图到第3C图系载波之波形图。第4图系表示损伤之载波之频率依存之图表。第5A图到第5D图系发生损伤之推定机制之说明图。第6A图到第6F图系发生损伤之推定机制之说明图。第7图系表示损伤每1波形之脉冲依存性之图表。第8图系表示载波频率与粒子去除能力关系之图表。第9图系表示关于第2实施形态之洗净方法所照射之超音波脉冲之波形图。第10图系将关于第2实施形态之洗净方法适用于结晶时之缺损结果。第11图系将关于第2实施形态之洗净方法适用于半导体装置之主动领域之制造时之缺损结果。第12图系将关于第2实施形态之洗净方法适用于液晶显示器之制造时之缺损结果。第13图系于关于第3实施形态之洗净方法所照射之超音波脉冲之波形图。第14图系将关于第3实施形态之洗净方法适用于结晶时之缺损结果。第15图系将关于第3实施形态之洗净方法适用于半导体装置之主动领域之制造时之缺损结果。第16图系将关于第3实施形态之洗净方法适用于液晶显示器制造时之缺损结果。第17图系表示关于第4实施形态之洗净方法所照射之超音波脉冲之波形图。第18图系将关于第5实施形态之洗净方法适用于结晶时之缺损结果。第19图系将关于第6实施形态之洗净方法适用于半导体装置主动领域之制造时之缺损结果。第20图系将关于第7实施形态之洗净方法适用于液晶显示器制造时之缺损结果。第21A图到第21C图系适用本发明之半导体装置之概略制造工程。第22图系超音波洗净装置之模式图。 |
