| 主权项 |
1.一种液晶显示装置之制造装置,具备有:洗净液晶 显示装置之基板11之洗净处理室1a、1b、44.对于前 述洗净处理室所洗净之前述基板进行成膜处理之 成膜处理室2.以及将前述基板不接触外部空气地 从前述洗净处理室移送至前述成膜处理室之外部 空气遮断移送机构3.4.18.48。2.如申请专利范围第1 项之液晶显示装置之制造装置,其中,前述外部空 气遮断移送机构3.4.18.48具有: 为从前述洗净处理室1a、1b、44至前述成膜处理室2 移送前述基板之通路,而遮断外部空气之外部空气 遮断通路48.以及在该外部空气遮断通路内搬送前 述基板之搬送机。3.如申请专利范围第1项之液晶 显示装置之制造装置,其中,前述外部空气遮断移 送机构具备有:使前述洗净处理室所洗净之前述基 板不接触外部空气地搬入可与外部空气隔离之密 闭卡匣18内之基板搬入机构4.45与、以及在前述成 膜处理室中从前述密闭卡匣内取出上述基板之基 板取出机构4.46。4.如申请专利范围第1项之液晶显 示装置之制造装置,其中更具备有:卡匣装载器室5 和具有搬送机器人4之搬送机器人室3,而前述卡匣 装载室5.前述洗净处理室1a、1b、44及前述成膜处 理室2皆配置于前述搬送机器人4之周围,且可利用 前述搬送机器人4使前述基板11可以出入而与前述 搬送机器人室3连系。5.如申请专利范围第2项之液 晶显示装置之制造装置,其中更具备有:为与前述 外部空气遮断通路连系,而遮断外部空气之处理室 ,且对前述基板施行退火处理之退火处理室。6.如 申请专利范围第5项之液晶显示装置之制造装置, 其中,在前述雷射退火处理室内具有对前述基板可 以进行雷射退火处理之光学调整装置。7.如申请 专利范围第2项之液晶显示装置之制造装置,其中, 前述成膜处理室2具备有:与前述外部空气遮断通 路连系之第1成膜处理室和与前述外部空气遮断通 路连系之第2成膜处理室。8.如申请专利范围第2项 之液晶显示装置之制造装置,其中,前述外部空气 遮断通路48具有可大致遮断外部空气程度之缓密 闭构造,而在前述外部空气遮断通路之内部,对于 前述基板,有非活性之非活性气体相对于外部空气 保持成阳压。9.如申请专利范围第3项之液晶显示 装置之制造装置,其中,前述密封卡匣18具有可大致 遮断外部空气程度之缓密闭构造,而在前述密封卡 匣之内部,对于前述基板,有非活性之非活性气体 相对于外部空气保持成阳压。10.如申请专利范围 第8项之液晶显示装置之制造装置,其中,又具备化 学过滤器7,前述非活性气体系通过该化学过滤器 而导入于前述外部空气遮断通路48。11.如申请专 利范围第9项之液晶显示装置之制造装置,其中,又 具备化学过滤器7,前述非活性气体系通过该化学 过滤器而导入于密封卡匣18中。12.一种液晶显示 装置之制造方法,具备有:将于玻璃基板11上具有底 膜62之基板装入洗净处理室1a、1b、44,以进行洗净 处理之步骤、从前述洗净处理室取出完成前述洗 净后之基板,且不接触外部空气地装入成膜处理室 2之步骤、以及在前述成膜处理室中于前述基板上 使非晶质矽膜成膜之步骤。13.如申请专利范围第 12项之液晶显示装置之制造方法,其中,在形成前述 非晶质矽膜之步骤后,又具有对不持续接触外部空 气,而使前述非晶质矽膜成膜后之基板进行退火, 以形成多结晶体矽膜之步骤。14.如申请专利范围 第13项之液晶显示装置之制造方法,其中,在形成前 述多结晶体矽膜之步骤后,又具有不持续接触外部 空气而移送至其他成膜处理室之步骤与以及在其 他的成膜处理室中,于前述多结晶体矽膜之上形成 闸极绝缘膜65之步骤。图式简单说明: 第1图系实施形态1中之洗净成膜处理一体型之 液晶显示装置制造装置的概略构成图。 第2图系第1图中之UV照射装置之模式剖面图。 第3图系第1图中之螺旋式湿式洗净装置之模式剖 面图。 第4图系实施形态1中之LPCVD装置之概略构成图。 第5图系实施形态1中之PCVD装置之概略构成图。 第6图系实施形态2中,将基板从洗净处理室搬送至 成膜处理室之机构之说明图。 第7图系实施形态2中,将基板从洗净处理室搬送至 成膜处理室之另一个机构之说明图。 第8图系实施形态3中,于玻璃基板上形成底膜,并形 成非晶质矽膜之后,予以退火而结晶化,以使电晶 体部图案之阶段之剖面图。 第9图系使闸极绝缘膜成膜,并在源极/汲极领域上 植入杂质离子,以形成闸极配线之阶段之剖面图。 第10图系形成层间绝缘膜、源极/闸极及保护绝缘 膜之阶段之剖面图。 第11图系液晶显示装置之驱动电路领域及显示像 素领域之剖面图。 第12图系从洗净处理步骤至成膜处理步骤之以往 运送步骤之气体显示图。 |
