发明名称 Schaltungsstrukturen auf thermisch gespritzten Schichten
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft verchiedene Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung auf einem Trägerkörper. Auf den Trägerkörper, etwa einen Metallkörper, wird eine erste, elektrisch isolierende Basisschicht durch thermisches Spritzen aufgebracht (220). DOLLAR A Danach wird in einem weiteren Schritt (230) eine zweite, beispielsweise elektrisch leitende Schicht auf die Basisschicht aufgebracht, die dann ihrerseits durch subtraktives Strukturieren (240) gemäß vorbestimmter Schaltstrukturen strukturiert wird. Dadurch, daß die angestrebte Schaltungsstruktur der zweiten Schicht aus dem Vollen abgetragen wird, kann je nach verwendeter Abtragungstechnik eine sehr hohe räumliche Auflösung dieser Strukturen erreicht werden. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß in Großserien fein strukturierte Schaltungen auf Trägerrohlingen wirschaftlich erzeugbar sind, da kein nennenswerter Verschleiß an Masken stattfindet.
申请公布号 DE10052247(A1) 申请公布日期 2002.04.25
申请号 DE20001052247 申请日期 2000.10.21
申请人 HELLA KG HUECK & CO. 发明人 BOLZENIUS, RAINER;SELLENT, MANFRED
分类号 H05K1/05;H05K3/46;(IPC1-7):H01L49/02 主分类号 H05K1/05
代理机构 代理人
主权项
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