| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Metallnitrid-Dünnschicht unter Verwendung eines Amin-Adduktes als Einkomponenten-Vorläufer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10190311(T1) |
申请公布日期 |
2002.04.25 |
| 申请号 |
DE20011090311T |
申请日期 |
2001.01.22 |
| 申请人 |
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, TAEJON |
发明人 |
PARK, JOON-TAIK |
| 分类号 |
C23C16/34;C23C16/18;C23C16/30;H01L21/205;H01L29/26;(IPC1-7):C23C16/34 |
主分类号 |
C23C16/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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