| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 실린더형 전하저장전극을 포함하는 반도체 소자 제조방법에 관한 것이며, 전하저장전극 스페이서 형성을 위한 전면 식각시 스크라이브 레인 영역을 보호하기 위하여 실시되는 마스크 공정시 전하저장전극 패턴의 간극에 포토레지스트의 스컴이 잔류하는 것을 노광시간의 증가 없이도 방지할 수 있는 반도체 소자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 네가티브(negative) 포토레지스트가 빛과 반응한 영역에만 패턴이 남는 원리를 이용하여 비교적 패턴 간극이 넓은 즉, 간극의 단차비가 작은 스크라이브 레인 영역의 큰 패턴(예컨대, 오버레이 박스)에만 빛이 들어가게 함으로써 짧은 노광시간을 적용하더라도 셀영역에 포토레지스트의 스컴이 잔류하는 것을 방지할 수 있다.</p> |
