发明名称 METHOD AND APPARATUS TO IMPROVE THE PROPERTIES OF ION BEAM DEPOSITED FILMS IN AN ION BEAM SPUTTERING SYSTEM
摘要 <p>본 발명은 챔버, 이온 빔 소스, 다중 타겟, 셔터 및 챔버 내에서 이온 빔 스퍼터 증착 공정 중에 웨이퍼 기판을 단단하게 지지하기 위한 기판 스테이지를 갖는 이온 빔 스퍼터링 시스템에 관한 것이다. 기판 스테이지는 자신의 수직축에 대해 기울기를 가질 수 있도록 만들어지므로, 타겟에서 나온 플럭스는 웨이퍼 기판을 비수직각으로 충돌하여 이온 빔 스퍼터링 시스템 내에서 기판에 증착되는 박막의 두께 균일성은 물론 물리적, 전기적 및 자기적 특성이 개선된다.</p>
申请公布号 KR100333939(B1) 申请公布日期 2002.04.24
申请号 KR19990017721 申请日期 1999.05.18
申请人 null, null 发明人 피나바씨무스타파
分类号 H01F41/18;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/46;G11B5/31;G11B5/39;H01F10/08;H01F10/32;H01J37/317;H01L21/203;H01L43/12 主分类号 H01F41/18
代理机构 代理人
主权项
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