| 主权项 |
1.一种于抛光平面时控制抛光温度之装置,包含: 一带,其系以线性方向移动而配置且具有存在于其 上且用以使该平面抛光之垫物料; 一感应器,其被偶合以测量该带之温度; 一温度调整单元,其与该带缔合而用于调整该带之 温度至一选定之工作温度,该工作温度与一平衡工 作温度相同,该温度调整在抛光该平面之前进行。 2.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含偶合 至该感应器及该温度调整单元之处理器,以自该感 应器接收温度测量数据及将控制讯号送至该温度 调整单元,以回应温度测量资料以保持该工作温度 。3.如申请专利范围第2项之装置,其中于开始该平 面抛光前使该带达工作温度。4.如申请专利范围 第1项之装置,其中该温度调整单元添加热能至该 带以使该带之温度上升至该工作温度。5.如申请 专利范围第2项之装置,其中该温度调整单元冷却 该带以使该带保持于该工作温度。6.一种于基材 表面或形成于基材上之层状物表面上施行化学机 械抛光(CMP)之线性抛光器中于该表面抛光时控制 抛光温度之装置,包含: 一带,其系以线性方向移动而配置且具有存在于其 上且用以使该平面抛光之垫物料; 一感应器,其被偶合以测量该带之温度; 一温度调整单元,其与该带缔连而用于调整该带之 温度至所选之工作温又,该工作温度与一平衡工作 温度相同,该温度调整抛光该平面之前进行。7.如 申请专利范围第6项之装置,其进一步包含偶合至 该感应器及该温度调整单元之处理器,以自该感应 器接收温度测量数据及将控制讯号送至该温度调 整单元,以回应温度测量资料以保持该工作温度。 8.如申请专利范围第7项之装置,其中该温度调整单 元添加热能至该带以使该带之温度上升至该工作 温度。9.如申请专利范围第8项之装置,其中蒸气被 引至该带上以使该带之温度增加至该工作温度。 10.如申请专利范围第7项之装置,其中该温度调整 单元冷却该带以使该带保持于该工作温度。11.如 申请专利范围第10项之装置,其中该冷却流体被引 至该带上以冷却该带。12.如申请专利范围第7项之 装置,其中于该表面抛光前使该带达该工作温度。 13.如申请专利范围第7项之装置,其中当未使用该 温度调整单元而使数个基材抛光时,该带之该工作 温度系与该抛光器之平衡温度达平衡。14.一种于 形成于半导体晶圆上之物料层上施行化学机械抛 光(CMP)时用以控制抛光温度之线性抛光器,包含: 一带,其系以线性方向移动而配置且具有存在于其 上且用以使该平面抛光之垫物料; 一感应器,其被偶合以测量该带之温度; 一温度调整单元,其与该带缔连而用于调整该带之 温度至一选定之工作温度,该工作温度与一平衡工 作温度相同,该温度调整在抛光该平面之前进行。 15.如申请专利范围第14项之线性抛光器,其进一步 包含偶合至该感应器及该温度调整单元之处理器, 以自该感应器接收温度测量数据及将控制讯号送 至该温度调整单元,以回应温度测量资料以保持该 工作温度。16.如申请专利范围第15项之线性抛光 器,其中该温度调整单元添加热能至该带,以使该 带之温度上升至该工作温度。17.如申请专利范围 第16项之线性抛光器,其中于该料层抛光开始前使 该带达该工作温度。18.如申请专利范围第14项之 线性抛光器,其中当未使用该温度调整单元而使数 个基材抛光时,该带之该工作温度系与该抛光器之 平衡温度达平衡。19.如申请专利范围第15项之线 性抛光器,其中该温度调整单元使该带冷却,以保 持该带于工作温度。20.如申请专利范围第15项之 线性抛光器,其中该温度调整单元藉由添加热能以 使该带之温度升至该工作温度及亦冷却该带以保 持该带于该工作温度,以调整该带之温度。21.一种 用于抛光一平面之控制抛光温度之方法,包含: 将热能引至一线性移动带,该带经配置成以线性方 向移动并于其上具有一用以抛光该表面之垫材料; 以用以测量该带温度而偶合之感应器测量抛光温 度; 藉由在抛光前预热该带而调整该带之温度以回应 由该感应器所测量到之资料。22.如申请专利范围 第21项之方法,其中该调整该带温度之处理包含引 入热能以使该带之温度升至预定之工作工作温度 。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该引入热 能包含注射加热流量至该带上。24.如申请专利范 围第21项之方法,其中该调整该带之温度的处理包 含冷却该带以保持该带之温度于预定之工作温度 。25.如申请专利范围第24项之方法,其中系藉由注 射冷却液体至该带而提供该冷却处理。图式简单 说明: 第1图系图示于带平衡温度被达成前之经八个晶圆 循环之序列之习知技艺实施之带中央线温度对抛 光时间之作图。 第2图系图示加入本发明之温度调整技术之线性抛 光器。 第3图系显示第2图之线性抛光器之截面图系含有 用以添加热能以升高带温度之本发明温度调整单 元之区段之放大图。 第4图系图示当本发明被用以于第一晶圆循环开始 前使带呈操作温度时之经25晶圆循环之系列之带 中央线温度对抛光时间之作图。 第5图系相似于第2图所示者之温度调整单元之截 面图,但现在冷却该带以使带之操作温度保持低于 周围温度。 第6图系一实施例之截面图,其中相似于第3及5图所 示之温度调整单元现被加入抛光器以加热或冷却 该带以保持带操作温度高于周围温度及低于平衡 温度。 |
