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1.一种利用柴克劳斯基法的矽单晶制造方法,其中 晶种与矽熔融接触,然后在旋转缓慢地拉出,以便 在晶种之下拉出矽单晶浇锭,该方法包含下列步骤 : 提供具有要与矽熔融接触之尖端的晶种,该尖端具 有尖点形状或是具有截头; 缓慢将晶种尖端与矽熔融接触,然后以缓慢的速度 降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端 部增加到预定大小为止;以及 接着慢慢将晶种向上拉出,以便生长出具有预定直 径的矽单晶浇锭而不须执行缩颈操作。2.如申请 专利范围第1项之矽单晶制造方法,其中在该晶种 尖端与矽熔融接触之前,该晶种最好就固定在矽熔 融之上,以便增加晶种的温度。3.如申请专利范围 第1项之矽单晶制造方法,其中用以降低晶种高度 以便熔融其尖端的速度最好等于或小于20公厘/分 钟。4.如申请专利范围第2项之矽单晶制造方法,其 中用以降低晶种高度以便熔融其尖端的速度最好 等于或小于20公厘/分钟。5.一种在根据柴克劳斯 基法而制造矽晶浇锭时所使用的矽晶种,其中要与 矽熔融接触之晶种尖端具有尖点形状或是尖点截 头,且首先要与矽熔融接触之晶种的端表面具有等 于或小于9(公厘2)的面积。6.如申请专利范围第5 项之矽晶种,其中该晶种尖端具有圆锥形状或金字 塔形状。7.如申请专利范围第5项之矽晶种,其中首 先要与矽熔融接触之晶种的端表面具有等于或小 于2.25(公厘2)的面积。8.如申请专利范围第6项之 矽晶种,其中首先要与矽熔融接触之晶种的端表面 具有等于或小于2.25(公厘2)的面积。图式简单说 明: 图1A-1C是用以解释测试1-3的说明视图; 图2A-2D是根据本发明之晶种的立体图,其中图2A显 示具有圆锥形尖端的圆柱晶种,图2B显示具有尖字 塔形尖端的金字塔形晶种,图2C显示具有水平截头 尖端的晶种,而图2D显示具有倾斜截头尖端的晶种; 图3A与3B是习知晶种的立体图,其中图3A显示圆柱形 晶种,而图3B显示金字塔形晶种。 |
