| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체소자의 콘택홀 형성방법은, 반도체기판상에 피식각층을 형성하는 단계; 상기 피식각층상에 네거티브형 제1감광막을 도포하는 단계; 상기 네거티브형 제1감광막을 노광 및 현상하여 제1폭으로 이격되는 네거티브형 제1감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 네거티브형 제1감광막패턴 및 피식각층상에 네거티브형 제2감광막을 도포하는 단계; 상기 네거티브형 제2감광막과 네거티브형 제1감광막패턴이 반응되도록 고온 처리를 수행하여, 상기 네거티브형 제2감광막과 네거티브형 제1감광막패턴의 계면에 가교층을 형성하는 단계; 네거티브형 제2감광막을 제거하여 상기 제1폭보다는 작은 제2폭으로 이격되는 가교층패턴을 잔류시키는 단계; 및 상기 가교층을 마스크로 상기 피식각층을 선택적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
