| 摘要 |
<p>SOI 기판에 형성된 웰을 완전히 분리하여 그 웰의 포텐셜을 웰·콘택트에 인가하는 바이어스전압에 의해 제어함으로써 다이나믹하게 변화시킬 수 있는 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 매립된 절연막(2) 및 표면 반도체층(3)이 적층된 SOI 기판(10)과 표면 반도체층(3)에 형성된 웰(11,21)과 이들 웰(11,21)에 형성된 트랜지스터(14,24)로 이루어지고, 웰(11,21)이 표면 반도체층(3)의 표면으로부터 매립된 절연막(2)에 도달하는 웰 완전분리막(4)에 의해 분리되며, 또한 바이어스 전압 인가용 웰·콘택트(15,25)를 갖추어 트랜지스터(14,24)가 표면 반도체층(3)의 표면에 형성된 소자분리막(5)에 의해 분리되며, 또한 트랜지스터(14,24)를 구성하는 채널영역이 부분 공핍화되고, 소스/드레인 영역(12,22)하부가 완전 공핍화되어 있는 SOI 반도체장치.</p> |
