| 发明名称 | 在磁阻存储器中加速老化的电路装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在MRAM中加速老化的电路装置和方法,其中装设了附加的装置(T5,T6),以便向存储单元(Z)中较靠近软磁层(WM)的控制线(WL)馈入一个较大的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1345068A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
| 申请号 | CN01132512.7 | 申请日期 | 2001.08.31 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·赫尼施米德 |
| 分类号 | G11C11/02;G11C5/00 | 主分类号 | G11C11/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.在具有存储单元区的MRAM中加速老化的电路装置，在所述的存储单元区中，在两种控制线(WL，BL)的交叉点处布置有许多具有软磁层(WM)和硬磁层(HM)的存储单元(Z)，且总是可以通过所述第一控制单元(1，2)向所述的两种控制线馈入控制信号，其特征在于：还装设一个第二控制单元(T5，T6)并联在所述第一控制单元(1，2)上，利用该第二控制单元向所属的控制线(WL)馈入一个比经所述第一控制单元(1，2)所馈入的电流要更大的电流。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||