通过使用助剂来制造铁电固体层的方法

摘要

除了包含有需蒸镀固体层元素的原始气体(P)之外,还向反应腔(10;20)的反应室导入至少一种助剂(H),如此来构造所述的助剂(H),使得其包含有具备偶极矩的分子,且这些分子具有如下特性,即它们在淀积处理期间可以利用垂直于基片表面的偶极矩而短时地积聚该基片表面上,以便由此来预给定所述生长固体层的晶体结构

主权项

1.通过气相蒸镀(CVD)在基片(3；23)上制造晶体固体层的方法，其特征在于：-除了包含有需蒸镀固体层元素的原始气体(P)之外，还向反应室导入至少一种助剂(H)，-如此来构造所述的助剂(H)，使得其包含有具备偶极矩的分子，且这些分子具有如下特性，即它们在淀积处理期间可以利用垂直于基片表面的偶极矩而短时地积聚该基片表面上，以便由此预给定所述固体层的晶体结构。