| 主权项 |
1.一种在半导体晶圆上沉积薄膜的装置,包括:一反应器单元,其装载一半导体晶圆;一莲蓬头平板,其覆盖该反应器单元以将该反应器单元的内压维持在一预定程度;一反应气体供应源,该反应气体供应源提供反应气体,且与该莲蓬头平板连接;一钝气供应源,该钝气供应源提供钝气,且与该莲蓬头平板连接;一排气部位,其将该气体排出该反应器单元,且该排气部位为与该反应器单元连接;以及一扩散盘,其具有复数个与钝气供应源连接之通道、复数个与通道连接之喷嘴、以及复数个喷洒孔,其中经由该复数个喷嘴所喷洒的钝气沿着该反应器单元之内壁降低了钝气壁,该反应气体经由该喷洒孔散布在晶圆的上方,而该扩散盘是装设在该莲蓬头平板内。2.如申请专利范围第1项所述的装置,其中该通道是由该扩散盘的中心以辐射状向外形成。3.如申请专利范围第1项所述的装置,其中该些喷嘴沿着该扩散盘的外围形成,且其斜向该反应器单元的内壁。4.如申请专利范围第1项所述的装置,其中更包括装设在该反应器单元内的一屏蔽物,而使钝气沿着该屏蔽物的内壁降低。5.如申请专利范围第4项所述的装置,其中该屏蔽物系选自于包括氧化铝、铝、或不锈钢之族群中之少一种所形成。6.如申请专利范围第1项所述的装置,其中更包括一具有一抗流套环之排气装置,而该晶圆位在该抗流套环的上方,且该抗流套环内形成有一排气盘,该排气盘具有至少三个或更多对称排列的排气孔,以便与该排气部位连接。7.如申请专利范围第6项所述的装置,其中该排气装置的排气盘比该晶圆的高度还低30至50mm。8.如申请专利范围第1项所述的装置,其中更包括在莲蓬头平板或反应器单元中插入O形环,用以在装设于该莲蓬头平板之导管与装设于该反应器单元之导管之间产生一安全连接与分离。图式简单说明:第1图是绘示习知薄膜沉积装置的示意图;第2图是绘示了在第1图所绘示之反应器的透视图;第3图是根据本发明绘示薄膜沉积装置的爆炸透视图;第4图是绘示了在第3图所绘示之莲蓬头平板与扩散盘的透视图;第5图是绘示了在第3图所绘示之莲蓬头平板的垂直面视图;以及第6图是绘示了在第3图所绘示之反应器单元的垂直面视图。 |
