| 主权项 |
1.一种BGA半导体封装件,系包括:一晶片承载件;一半导体晶片,其上系接置有多数第一导电元件,致使该半导体晶片电性导接至该晶片承载件时形成有一底部空隙;一充填胶材,用以填布该底部空隙,且该充填胶材内含有多数金属粒子俾供胶材之热膨胀系数趋近于该等第一导电元件;以及多数第二导电元件,俾供该晶片承载件与外界装置进行电性藕接。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该半导体封装件系为一种覆晶型球栅阵列半导体封装件。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片承载件系为一基板。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片承载件表面上系黏设有复数个焊接焊垫俾供该等第一导电元件对应焊接。5.如申请专利范围第4项之半导体封装件,其中,该等焊接焊垫系为一铜质材料所构成者。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一导电元件系为锡铅共熔合金材质之锡焊凸块。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该底部空隙系为一覆晶底部间隙。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该充填胶材系进一步包含一助焊剂,多数金属粒子以及一绝缘性胶材基质所构成者。9.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该充填胶材内之金属粒子约占20%重量百分比。10.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该金属粒子系为一铜粒子。11.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该金属粒子之热膨胀系数(约18ppm/℃)系远低于该绝缘性胶材基质者(约70ppm/℃)。12.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第二导电元件系为焊球。13.一种覆晶底部填胶方法,系包含:先备一晶片承载件,其上系布设有多数焊接焊垫,并于该等焊接焊垫分布区域涂布一具有多数金属粒子之充填胶材;另置一半导体晶片,藉由多数导电元件将该半导体晶片对应接置于该等焊接焊垫上,俾使该充填胶材完整包复该等导电元件;以及实施一回焊作业,该焊接焊垫藉由该等金属粒子之引导与该等导电元件间进行强固接合。14.如申请专利范围第13项之覆晶底部填胶方法,其中,该晶片承载件系为一基板。15.如申请专利范围第13项之覆晶底部填胶方法,其中,该等焊接焊垫系为一铜质材料所构成者。16.如申请专利范围第13项之覆晶底部填胶方法,其中,该导电元件系为锡铅共熔合金材质之锡焊凸块。17.如申请专利范围第13或16项之覆晶底部填胶方法,其中,该锡焊凸块之比重系小于该金属粒子之比重。18.如申请专利范围第13项之覆晶底部填胶方法,其中,该充填胶材系进一步包含一助焊剂,多数金属粒子以及一绝缘性胶材基质所构成者。19.如申请专利范围第13项之覆晶底部填胶方法,其中,该金属粒子系为一铜粒子。20.如申请专利范围第13项之覆晶底部填胶方法,其中,该充填胶材内之金属粒子约占20%重量百分比。21.如申请专利范围第18项之覆晶底部填胶方法,其中,该金属粒子之热膨胀系数(约18ppm/℃)系远低于该绝缘性胶材基质者(约70ppm/℃)。22.如申请专利范围第13或15项之覆晶底部填胶方法,其中,该金属粒子系引导该焊接焊垫表面之铜份扩散俾以促使湿润作业(Wetting)之进行。图式简单说明:第1图系为习知之非流动性底部填胶技术于回焊温度循环下受热应力导致焊结结构破裂之剖面示意图;第2图系为应用本发明覆晶底部填胶技术之半导体封装件之剖面示意图;第3A至3D图系为尚未实施回焊作业前,本发明覆晶底部填胶技术之制作流程;第4A至4C图系为实施回焊作业当时,本发明覆晶底部填胶技术中,充填胶材与焊结环境间作用机制之假想示意图;第5图系为应用本发明覆晶底部填胶技术之半导体封装件于高温环境下膨胀结构之剖面示意图;以及,第6图系为应用本发明覆晶底部填胶技术之半导体封装件于冷却环境下收缩结构之剖面示意图。 |
