| 主权项 |
1.一种制造受处理无机填料之方法,其包括将无机 填料浸入处理液体中进行表面处理,其中该处理液 体包括矽氧烷低聚物,该矽氧烷低聚物(1)具有70以 下之聚合度,(2)为三度空间地交联,(3)含有一或多 种由三官能矽氧烷单位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷单 位(SiO4/2)选出之矽氧烷单位,其中每个R系一个有机 基,且该矽氧烷低聚物中之有机基R彼此相同或不 同,(4)由对应于该矽氧烷单位之一或多种氯矽烷或 烷氧矽烷在水存在时经酸触媒而缩合制成,以及(5) 具有一或多个可与羟基反应之官能端基。2.如申 请专利范围第1项之方法,其中该矽氧烷低聚物包 括二官能矽氧烷单位(R2SiO2/2)和四官能矽氧烷单位 (SiO4/2),且聚合度为6至70。3.如申请专利范围第1项 之方法,其中该矽氧烷低聚物包括三官能矽氧烷单 位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷单位(SiO4/2),且其聚合度 为6至70。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽 氧烷低聚物包括二官能矽氧烷单位(R2SiO2/2)和三官 能矽氧烷单位(SiO3/2),且聚合度为为6至70。5.如申 请专利范围第1项之方法,其中该矽氧烷低聚物包 括二官能矽氧烷单位(R2SiO2/2)三官能矽氧烷单位 (RSiO3/2)和四官能矽氧烷单位(SiO4/2),且其聚合度为6 至70。6.如申请专利范围第2或3或5项之方法,其中 四官能矽氧烷单位(SiO4/2)占矽氧烷低聚物之矽氧 烷单位总量之15莫耳%以上。7.如申请专利范围第1 项之方法,其中该矽氧烷低聚物包括四官能矽氧烷 单位(SiO4/2),且其聚合度为6至70。8.如申请专利范 围第1项之方法,其中该矽氧烷低聚物包括三官能 矽氧烷单位(RSiO3/2),且其聚合度为6至70。9.如申请 专利范围第1项之方法,其中该处理液体另外含有 溶解于溶剂中之矽烷偶合剂。10.如申请专利范围 第1项之方法,其中该处理液体另外含有溶解于溶 剂中之钛酸酯偶合剂。11.一种以矽氧烷低聚物处 理之无机填料,其中该矽氧烷低聚物(1)具有70以下 之聚合度,(2)为三度空间地交联,(3)含有一或多种 由三官能矽氧烷单位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷单位( SiO4/2)选出之矽氧烷单位,其中每个R系一个有机基, 且该矽氧烷低聚物中之有机基R彼此相同或不同,(4 )由对应于该矽氧烷单位之一或多种氯矽烷或烷氧 矽烷在水存在时经酸触媒而缩合制成,以及(5)具有 一或多个可与羟基反应之官能端基。12.如申请专 利范围第11项之无机填料,其中该矽氧烷低聚物包 括二官能矽氧烷单位(R2SiO2/2)和四官能矽氧烷单位 (SiO4/2),且聚合度为6至70。13.如申请专利范围第11 项之无机填料,其中该矽氧烷低聚物包括三官能矽 氧烷单位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷单位(SiO4/2),且其 聚合度为6至70。14.如申请专利范围第11项之无机 填料,其中该矽氧烷低聚物包括二官能矽氧烷单位 (R2SiO2/2)和三官能矽氧烷单位(RSiO3/2),且聚合度为6 至70。15.如申请专利范围第11项之无机填料,其中 该矽氧烷低聚物包括二官能矽氧烷单位(R2SiO2/2), 三官能矽氧烷单位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷单位(SiO 4/2),且聚合度为6至70。16.如申请专利范围第12或13 或15项之无机填料,其中四官能矽氧烷单位(SiO4/2) 占矽氧烷低聚物之矽氧烷单位总量之15莫耳%以上 。17.如申请专利范围第11项之无机填料,其中该矽 氧烷低聚物包括四官能矽氧烷单位(SiO4/2),且聚合 度为6至70。18.如申请专利范围第11项之无机填料, 其中该矽氧烷低聚物包括三官能矽氧烷单位(RSiO3/ 2),且聚合度为6至70。19.如申请专利范围第11项之 无机填料,其中,该无机填料系以矽氧烷低聚物和 偶合剂处理。图式简单说明: 第1图为基质材料或以习知矽烷偶合剂处理之填料 的表面之理想状态示意图。 第2图为以业界表面处理来处理基质材料或填料之 表面真实状态示意图。 第3图为以JP-A-1-204953之线型聚矽氧烷处理填料之 表面状态示意图。 第4图显示使用本案预浸物制成之基质材料与树脂 层间的界面状态。 |
