发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Kondensators mit einer ferroelektrischen Schicht für nichtflüchtige Speicherzelle
摘要
申请公布号 DE69619610(D1) 申请公布日期 2002.04.11
申请号 DE19966019610 申请日期 1996.09.26
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 YAMOTO, HISAYOSHI;OCHIAI, AKIHIKO
分类号 H01L27/04;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;(IPC1-7):H01L29/92;H01L21/320 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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