| 摘要 |
<p>본 발명은 레이저 다이오드 등의 광 소자에 널리 이용되는 화합물 반도체인 GaN 후막 제조 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 GaN 후막 제조 방법은 버퍼층 형성 없이 직접 HVPE에 의해 SiO패턴을 제조하기 위한 15㎛ 이하의 중간(intermediate) GaN층을 성장한 후, SiO증착(deposition), 포토리소그래피(photolithograpy)에 의해 스트라이프 상의 SiO패턴을 만들고 그 위에 HVPE에 의해 GaN 후막을 제조하는 방법과 사파이어 기판상에 SiO증착, 포토리소그래피에 의해 스트라이프 상의 SiO패턴을 만들고 HVPE에 의해 직접 ELO GaN 후막을 제조하는 방법으로 나누어진다.</p> |
