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<p>더미 비트 라인을 이용한 전류 센스 앰프 회로가 개시된다. 본 발명에 따른 더미 비트 라인을 이용한 전류 센스 앰프 회로는, 셀 전류 발생부, 기준 전류 발생 부 및 감지 증폭부를 포함한다. 셀 전류 발생부는, 워드 라인 및 비트 라인과 연결된 메모리 셀을 포함하고, 메모리 셀에 인가되는 메모리 셀 전류와, 비트 라인을 충전시키기 위한 비트 라인 충전 전류를 생성한다. 기준 전류 발생부는 더미 비트 라인과 소정의 기준 셀을 포함하고, 기준 셀에 인가되는 기준 셀 전류 및 더미 비트 라인을 충전시키기 위한 더미 비트 라인 충전 전류를 각각 생성한다. 감지 증폭부는 셀 전류 발생부에 연결되어 메모리 셀 전류와 비트 라인 충전 전류를 받아들이는 제1입력 단자, 및 기준 전류 발생부와 연결되어 기준 셀 전류와 더미 비트 라인 충전 전류를 받아들이는 제2입력 단자를 구비하고, 제1입력 단자 및 제2입력 단자를 통하여 인가되는 전류의 차이를 감지 증폭한다. 본 발명에 따르면, 오프 셀의 경우에 비트 라인의 충전 전류와 관계없이 빠른 속도로 데이타를 감지하는 것이 가능할 뿐 아니라, 회로 전체가 대칭적인 구조를 갖기 때문에 보다 안정적으로 동작할 수 있다는 효과가 있다.</p> |
