Opto-elektronisch integrierter Photoempfänger

摘要

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Anordnung für einen opto-elektronisch integrierten Photoempfänger vorzuschlagen, der im Vergleich zum Stand der Technik verbesserte Leistungsmerkmale in bezug auf das High-Power-Verhalten zeigt, ohne die anderen wichtigen Empfängerparameter zu benachteiligen. Weiterhin soll die optische Kopplung zur Glasfaser einen unkritischen Justagebereich aufweisen, um eine kostengünstigste Modulmontage zu ermöglichen. Zudem soll sich die Herstellung der Anordnung in bereits bekannte technologische OEIC-Prozesse einpassen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Photoempfänger gelöst, bei dem eine wellenleiter-integrierte Photodiode (PD), ein dieser Photodiode (PD) zu einer Standard-Faser vorgeschalteter Spotsize-Konverter (SK) und ein elektrischer Wanderwellenverstärker (TWA) auf einem Chip monolithisch integriert sind, wobei der Spotsize-Konverter (SK) photodiodenseitig aus einem kurzen geraden Teil des Photodioden-Wellenleiters (WL) und faserseitig aus einem in Richtung Faser sich verjüngenden Teil des Photodioden-Wellenleiters (WL) und aus einem sich auf das gesamte Integrationsgebiet erstreckenden unter dem Photodioden-Wellenleiter (WL) angeordneten semi-isolierenden optisch wellenleitungsfähigen Schichtenpaket gebildet ist und zusätzliche Ätzstoppschichten (ÄS) auf dem Photodioden-Wellenleiter (WL) und auf der Photodiode (PD) angeordnet sind.